Ⅰ 工業硅的冶煉工藝和技術
石英(沙子)與碳在電弧爐中冶煉提純到98%並生成工業硅，其化學反應SiO2+2C=Si+2CO
為了滿足半導體級高純度的需要，必須進一步提純。把工業硅粉碎並用無水氯化氫(HCl)與之反應在一個流化床反應器中，生成三氯氫硅(SiHCl3)。
其化學反應Si+3HCl=SiHCl3+H2
在此基礎上還需要進一步提純，經過一系列化學分離提純工藝除去一些電活性雜質，碳和過渡元素雜質，才能使SiHCl3 的純度達到半導體級的標准要求。
多晶硅採用高溫還原工藝，以高純的SiHCl3在H2氣氛中還原沉積而生成。其化學反應SiHCl3+H2=Si+3HCl。經過如此提純工藝技術，可生產出半導體級高純硅SiHCl3、SiH2Cl2及光纖級高純硅SiCl4。
Ⅱ 工業硅冶煉工藝流程
1、首先將合格的二氧化硅用水清洗，去除泥土等雜質，用粉碎機粉碎至20-100mm。2、然後過篩，再用水洗去碎石李悔和石粉。3、稱重後與石油焦按一定比例混合，混合後的合格物料送至熔煉爐熔煉除雜。4、硅液形成明擾歷後，通入空氣增加透氣性，進一步去除雜質。一部分硅液冷卻後直接生產產品，一部分硅液送至專用硅包中進行氧氣導入精煉。5、將精煉後的硅液送入精煉爐進行進一步精煉、氧氣加壓分離和除雜，冷卻後生產出激搜4氮高純工業硅產品，經過精選、清洗，最後碎成錠、包裝入庫。