工业电路有哪些基本单元

A. 电路的基本概念及定律

知识点：

1.电路的基本物理量及其方向；

2.电阻元件和电源元件；

3.欧姆定律和基尔霍夫定律。

1.1 电路
电路就是一个为了完成某种功能而由一系列电气器件和导线按一定方式连接起来的电流通路。这些功能比如：电能的传输、分配与转换；电信号的传输、分配与转换等。

电路一般由电源(或者信号源)、负载和中间环节三部分组成。其中电源(信号源)是将其他形式的能量或信号转换为电能或电信号的装置。负载是使用电能，将电能转换为其他形式能量的装置。中间环节联接电源与负载之间，是传送、控制电能或电信号的部分。

电路的基本参数（物理量）

1.1.1 电流

电荷在电场力作用下，作有规则的定向运动，从而形成电流。

交流（AC）：i=\frac{dq}{dt} \\ 直流（DC）：I=\frac{q}{t} \\

方向：规定正电荷运动的方向为电流的正方向。大小用电流强度，来表示。

电流强度的单位：安（培），符号：A。

含义：如果1秒内通过导体横截面的电量是1库仑（C），则该导体中的电流为1安（A）。 常用单位：毫安（mA），微安（μA）。

1kA=10^{3}A=10^{6}mA=10^{9}\mu A \\

电流的方向只有两种可能，课时在对实际电路进行分析时，我们事先往往并不知道电流的实际方向。

电流的参考方向：若任选某一方向作为电流的方向，在电路图中用箭头表示，并以这个方向来列电路方程、分析计算，那么这种人为规定的电流方向就称为电流的参考方向。

参考方向表示符号：

①双下标表示法，如图（c）: i_{ab}=-i_{ba}

②箭头表示法，如图(a) 。

在规定参考方向后，电流就可以用一个代数量表示，即它不仅有数值，而且包含正、负 号。因此，只有参考方向选定之后，电流之值才有正负之分。再说一遍：电流为负，只是说明实际方向与参考方向相反，并不是真的比零还小。

按参考方向分析电路得出的电流为正值(i>0)，表明电流的参考方向与实际方向相同。 反之，若得出的电流为负值(i<0)，则表明电流的参考方向与实际方向相反，如图（a）、(b)所示。

1.1.2 电压、电位及电动势

一、电压：电路中a、b两点间的电压为单位正电荷在电场力的作用下由a点转移到b点时电场力所做的功，即

u_{ab}=\frac{dW}{dq} 或者U_{ab}=\frac{W_{ab}}{q}\\

方向：电压的方向是电位降低的方向。电压的单位：伏（特），符号：V。

常用单位：千伏（kV），伏（V），毫伏（mV）。

1kV=10^{3}V=10^{6}mV \\

在分析电路时，和电流一样，电压也要任意选定其参考方向。按照所选定的参考方向分析电路，得出的电压为正值(u>0)，表明电压的实际方向与参考方向一致；反之，若得出的电压为负值(u<0)，则表明电压的实际方向与参考方向相反。

当元件的电流与电压参考方向一致时，称为关联参考方向，反之，则为非关联参考方向。

电路中表示电压的参考方向的方法有三种，a、b两点间电压的参考方向

一是用箭头表 示；二是用“+”“-”符号表示；三是书写时用带双下标的字母 u_{ab} 表示,如图所示。

电压参考方向的表示方法
对一 个元件或一段电路上的电压参考方向和电流参考方向可以独立地任意选定。若电压和电流的参考方向相同，则把电压和电流的这种参考方向称为关联参考方向，如图所示。

电压和电流关联参考方向
二、电位：

若任取一点o作为参考点，则由某点a到参考点o的电压 称为a点的电位，用 u_{a} 表示。

显然 u_{o}=0 ，也就是参考点的电位为零。

电压与电位的关系：a、b两点间的电压等于这两点电位之差，即

u_{ab}=u_{a}-u_{b} \\

三、电动势：

电动势在数值上等于非电场力把单位正电荷由负极经电源内部移到正极所做的功。显 然,电动势的单位也是伏[特](V)。用符号 e 表示，即

e=\frac{dW_{s}}{dq} \\

通常规定电动势的实际方向是由电源的负极指向电源的正极。同电流和电压一样,在 电路中所标出的电动势的方向也是它的参考方向。

方向：电位升高的方向。

表示形式：常用正（+）极性表示电源的高电位，用负（-）极性表示其低电位。

电动势的单位：伏（特），符号：V。

电源端电压与电动势的关系
当电压和电动势的方向不随时间而变化时，称为直流电压和直流电动势；当电压和电动势的量值与方向都不随时间而变化时，称为稳恒直流电压和稳恒直流电动势，分别用符号U和E来表示。

1.1.3 电功率

电功率（功率）：电能转换的速率，单位时间内转换的电能，即

p=\frac{dW}{dt}=ui \\

直流：P=UI \\

功率的单位：瓦（特），符号：W。

含义：元件端电压为1V，通过电流为1A时，则该元件吸收功率为1W。

常用单位：兆瓦（MW），千瓦（kW），毫瓦（mW）。

在关联参考方向下： P=UI 在非关联参考方向下： P=-UI

1.1.4 电能

定义从 t_{0} 到 t 时间内，电路吸收的电能（量）为

W=\int_{t_{0}}^{t}pdt \\ 直流时 W=P(t-t_{0}) \\

电能的单位：焦（耳），符号：J。

含义：1焦耳等于功率为1瓦的用电设备，在1秒内消耗的电能。工业现场，还采用千瓦小时（kWh）作为电能的单位。

1kWh=10^{3}W\times3600s=3.6 \times 10^{6}J \\

1.2 电路模型及理想电路元件

电路模型 实际电路

实际的电气元件外形千差万别，功能多种多样。组成电路的实际电气器件往往比较复杂（外形多样），功能多种多样，电磁现象、电磁性能多方面交织。为研究方便，我们要将实际的器件加以理想化，即只考虑起主要作用的某些电磁现象，而忽略其它现象。也就是我们使用理想电路元件和电路模型的概念。

电路模型是实际电路抽象而成，使用它近似地反映实际电路的电气特性。电路模型由一系列理想电路元件用理想导线连结而成。用不同特性的电路元件按照不同的方式连结就构成不同特性的电路模型，在称呼上我们仍然称为电路。

注意：电路分析的对象是电路模型，不是实际电路。

1.2.1 理想电路元件（简称电路元件）：

电路元件的理想化（模型化）：在一定条件下，突出元件主要的电磁性质，忽略其次要因素，把它近似地看作理想电路元件，这样便于对实际电路进行分析和用数学描述。

集总参数元件：每一种元件只表示一种基本电磁现象，并用一个准确的数学表达式来描述其基本电磁性能。用一个准确的数学表达式来描述其主要电磁性能的元器件就称为理想电路元件。

在任一时刻，集总参数元件具有如下约束：

1）从具有两个端子的理想元件的某一端流出的电流恒等于从另一端流入的电流；

2）两个端子间的电压值是完全确定的。

基本的电路元件有三类：

一、电阻元件：简称电阻，只表示消耗电能的二端元件。

二、电感元件：简称电感，反映电路周围存在着磁场而可以储存磁场能量的二端元件。

三、电容元件：简称电容，反映电路及其附近存在着电场而可以储存电场能量的元件。

由理想化的集总参数元件构成的电路模型，简称电路。

1.2.2 电阻元件

电压电流关系：伏安特性曲线。在 电压-电流（u-i ）坐标平面上，表示元件电压电流关系（VCR）的曲线称为伏安特性曲线。

电阻元件的伏安特性
线性电阻：伏安特性曲线是通过原点的直线的电阻。

线性电阻
其表达式为 u=Ri 。以后如果不加特殊说明，所说的电阻都是线性电阻。

一、欧姆定律：在同一电路中,通过某段导体的电流跟这段导体两端的电压成正比，跟这段导体的电阻成反比。

电阻的单位是欧（姆），符号Ω 。

在关联参考方向下： u=Ri

u与i非关联参考方向
在非关联参考方向下： u=-Ri

二、电导：定义电阻的倒数称为电导。 G=\frac{1}{R} 单位是西门子（S）。

三、电阻的功率

在电压和电流的关联方向下，任何时刻线性电阻元件吸收的电功率为

P=Ri^{2}=Gu^{2} \\

焦耳定律：

电阻元件把吸收的电能转换成热能，即从 t_{0} 到 t 时间内，电阻元件消耗的电能为

1.2.3 理想电源元件

理想电源分为独立源和受控源。独立源分为独立电压源和独立电流源，简称电压源和电流源。

一、理想电压源

基本性质：

①电压是给定值或给定的时间函数，与流过的电流无关；

②电流是与相连的外电路共同决定的，在电压一定的情况下，取决于外电路。

电压源的符号及伏安特性
实际直流电压源模型

U=U_{s}-R_{s}I \\ 实际直流电压源的伏安关系

实际电压源模型及伏安特性曲线
电源内阻R_{s}越小，就越接近于理想电压源。

二、理想电流源

基本性质：

①电流是给定值或给定的时间函数，与电压无关；

②电压是与相连的外电路共同决定的，在电流一定的情况下，取决于外电路。

电流源的符号及伏安特性
实际直流电压源模型

I=I_{s}-G_{s}U 实际直流电压源的伏安关系

实际电流源模型及伏安特性曲线
电源内阻R_{s}越大（电导越小），就越接近于理想电流源。

三、受控源

受控源：受电路中另一部分的电压或电流控制的电源，非独立的电源。 受控源是一个二端口元件，用菱形符号表示。 受控源有以下四种类型：

说明：

① 独立源与受控源的相同点：都可以对外电路作功。

② 独立源与受控源的不同点：独立源的输出量是独立的；受控源的输出量是不独立的。

1.3 电路中的基本概念
1.3.1 有载状态、开路和短路

将图所示电路中的开关S合上，电源与负载接成闭合电路，电路导通、是通路，即处于有载工作状态。

有载工作状态下,电路中的电流：设 R_{0} 为电源内阻，则负载电流

I=\frac{U}{R}=\frac{U_{s}}{R_{0}+R} \\

负载两端电压： U=U_{s}-IR_{0} \\

将上式两边乘以电流I，则电路中功率关系如下

UI=U_{s}I-I^{2}R_{0} \\

定义：电源输出功率 P_{s}=U_{s}I 电源内部消耗的功率 P_{0}=I^{2}R_{0} 负载功率 P=UI

则： P=P_{s}-P_{0} \\

开路：若电路（或元件）的电阻为无限大，则当电压是有限值时，其电流总是零，这时称它为开路。

短路：若电路（或元件）的电阻为零，则当电流是有限值时，其电压总是零，这时称它为短路。

1.3.2 串联和并联：

一些二端元件首尾相连、中间没有分支时，这种联接方式称为串联；

一些二端元件的两个端子分别连在一起时，这种联接方式称为并联。

1.3.3 支路和结点：

一个或多个二端元件串联组成的分支称为一条支路。三条或三条以上支路的连接点称为结点。如图1电路，有6支路，4个结点。

图1
1.3.4 回路和网孔：

由一条或几条支路组成的闭合路径称为回路。

平面电路图中，在回路内部不另含有支路的回路称为网孔。如图1电路，有6个回路，3个网孔。

为了用图论的办法去分析复杂电路，我们往往把有多个网孔的电路称作网络，有时网络和电路两个概念混用。

1.3.4 参考方向与关联参考方向

①在电路分析时，必须标注基本参数的参考方向。不标参考方向是没有意义的。

②参考方向一经标定，在整个分析过程中就必须以此为准，不能变动。

③参考方向可以任意规定而不影响计算结果。

④电流和电压参考方向可以分别独立地规定。

⑤当元件的电流与电压参考方向一致时，称为关联参考方向，反之，则为非关联参考方向。

1.3.5 等效电路

对外电路来说，如果两个二端网络（电路）N1和N2具有相同的伏安特性，我们就说N1和N2这两个网络等效。

需要说明的是：

1)等效是指对外电路来说是等效的。

2)两个等效网络的内部结构不见得是一样的。

3)等效具有传递性的。如果两个二端网络N1和N2等效，而二端网络N2又与N3等效，那么必有二端网络N1和N3等效。

将一个网络变换为与其等效的另一个网络的过程称为等效变换。

应用等效变换，可将一个结构较复杂的电路变换成一个结构较简单的电路，使电路的分析得以简化。

1.3.6 电气设备（电气元件）的额定值

工业用电设备或者家用电器中经常提到额定值的概念。在电路中的电气设备，它们的工作电压、电流、功率都有一个规定的安全、合理数值，这个 规定的安全合理 值就是电气设备的额 定值。

额定值一般包括额定电压 U_{N} 、额定电流 I_{N} 和额定功率 P_{N} 。电气设备或元件的额定值可以从设备铭牌和产品手册中查

B. 高频电子电路中都包含哪些单元电路

运算放大电路（包含：放大，加减，积分，微分，指数等等）；
反馈放大电路（引入反馈概念）；
功率放大电路（大功率输出驱动电路）；
信号产生电路（包含各种波形产生电路，方波三角波正弦波）；
信号处理与转换电路
（包括波形整形，波形转换，比较器电路，调制与解调，电压电流转换，电压频率转换等等）；
电源稳压电路（包含各类电源电路，如线性稳压电源，开关电源，恒流源等等）。
模拟类大致就这么多种吧。

数字电路就太多了：
门电路，编码器，译码器，计数器，分频器，缓冲器，驱动器，触发器，运算器，寄存器，锁存器，数据选择器，模拟开关，锁相环，定时器；
（还有微处理器，存储器，A/D，D/A等微机类的）
太多了，自己慢慢学吧。

C. 超大规模集成电路的分类

集成电路按集成度高低的不同可分为小规模集成电路、中规模集成电路、大规模集成电路、超大规模集成电路、特大规模集成电路和巨大规模集成电路等。
小规模集成电路于1960年出现，在一块硅片上包含10-100个元件或1-10个逻辑门。如 逻辑门和触发器等。如果用小规模数字集成电路(SSI)进行设计组合逻辑电路时，是以门电路作为电路的基本单元，所以逻辑函数的化简应使使用的门电路的数目最少，而且门的输入端数目也最少。
中规模集成电路（Medium Scale Integration：MSI）
1966年出现，在一块硅片上包含100-1000个元件或10-100个逻辑门。如 ：集成计时器，寄存器，译码器等。
如果选用中规模集成电路(MSI)设计组合逻辑电路时，则以所用集成电路个数最少，品种最少，同时集成电路间的连线也最少。这往往需将逻辑函数表达式变换成选用电路所要求的表达形式，有时可直接用标准范式。
MSI中规模组合逻辑器件功能虽然比小规模集成电路SSI强，但也不像大规模集成电路LSI那样功能专一化，这些器件产品的品种虽然不少，但也不可能完全符合使用者的要求，这就需要将多片级联以扩展其功能，而且还可以用一些标准的中规模继承组件来实现其它一些组合逻辑电路的设计。用中规模集成组件来进行组合逻辑电路设计时，其方法是选择合适的MSI后，将实际问题转化后的逻辑表达式变换为响应的MSI的表达形式。用MSI设计的组合逻辑电路与用门电路设计的组合逻辑电路相比，不仅体积小，重量较轻，而且提高了工作的可靠性。
中规模数据选择起的级联可扩展其选择数据的路数，其功能扩展不仅可用于组合逻辑电路，而且还可用于时序逻辑电路。在组合逻辑电路中主要有以下应用：
（1）级联扩展，以增加选择的路数、位数，可实现由多位到多位的数据传送；
（2）作逻辑函数发生器，用以实现任意组合逻辑电路的设计。
大规模集成电路(Large Scale Integrated circuits：LSI)
1970年出现，在一块硅片上包含103-105个元件或100-10000个逻辑门。如 ：半导体存储器，某些计算机外设。628512，628128（128K）最大容量1G。
超大规模集成电路(Very Large Scale Integrated circuits：VLSI)
在一块芯片上集成的元件数超过10万个，或门电路数超过万门的集成电路，称为超大规模集成电路。超大规模集成电路是20世纪70年代后期研制成功的，主要用于制造存储器和微处理机。64k位随机存取存储器是第一代超大规模集成电路，大约包含15万个元件，线宽为3微米。
超大规模集成电路的集成度已达到600万个晶体管，线宽达到0.3微米。用超大规模集成电路制造的电子设备，体积小、重量轻、功耗低、可靠性高。利用超大规模集成电路技术可以将一个电子分系统乃至整个电子系统“集成”在一块芯片上，完成信息采集、处理、存储等多种功能。例如，可以将整个386微处理机电路集成在一块芯片上，集成度达250万个晶体管。超大规模集成电路研制成功，是微电子技术的一次飞跃，大大推动了电子技术的进步，从而带动了军事技术和民用技术的发展。超大规模集成电路已成为衡量一个国家科学技术和工业发展水平的重要标志，也是世界主要工业国家，特别是美国和日本竞争最激烈的一个领域。
特大规模集成电路(Ultra Large-Scale Integration：ULSI)
1993年随着集成了1000万个晶体管的16M FLASH和256M DRAM的研制成功，进入了特大规模集成电路ULSI (Ultra Large-Scale Integration)时代。特大规模集成电路的集成组件数在107～109个之间。
ULSI电路集成度的迅速增长主要取决于以下两个因素：一是完美晶体生长技术已达到极高的水平；二是制造设备不断完善，加工精度、自动化程度和可靠性的提高已使器件尺寸进入深亚微米级领域。硅单晶制备技术可使晶体径向参数均匀，体内微缺陷减少，0.1~0.3um大小的缺陷平均可以少于0.05个/平方厘米。对电路加工过程中诱生的缺陷理论模型也有了较为完整的认识，由此发展了一整套完美晶体的加工工艺。生产电路用的硅片直径的不断增大，导致生产效率大幅度提高，硅片的直径尺寸已达到12英寸。微缺陷的减少使芯片成品率增加，0.02个/平方厘米缺陷的硅片可使256MB DRAM的成品率达到80~90%。
巨大规模集成电路（Giga Scale Integration：GSI）
1994年由于集成1亿个元件的1G DRAM的研制成功，进入巨大规模集成电路GSI（Giga Scale Integration）时代。巨大规模集成电路的集成组件数在109以上。

D. 三相电路基本原理

三相电路基本原理是具有一组或多组电源，每组电源由三个振幅相等、频率相同、彼此间相位差一样的正弦电源构成，且电源和负载采用特定的连接。

三相电源及三相负载都有星形和三角形两种连接方式，当三相电源和三相负载通过输电线（其阻抗为ZL）连接构成三相电路时，可形成五种连接方式，分别称为Y0—Y0联结（有中线）、Y—Y联结（无中线）、Y一△联结、△一Y联结和△一△联结。

在三相电路中，三相负载的连接方式决定于负载每相的额定电压和电源的线电压。由于对称三相电路中每组的响应都是与激励同相序的对称量。

所以，每相不但相电压有效值相等，相电流有效值也相等。而且每相电压与电流的相位差也相等。从而每相的有功功率相等。

(4)工业电路有哪些基本单元扩展阅读

在三相电路中，只要有一部分不对称就称为不对称三相电路。

在三相电路中，三相负载吸收的复功率等于各项复功率之和。三相电路的瞬时功率为各相负载瞬时功率之和。在三相三线制电路中，不论对称与否，都可以使用两个功率表测量三相功率。即二瓦记法。

对称三相电源是由3个等幅值、同频率、初相依次相差120°的正弦电压源连接成星形（Y）或三角形（△）组成的电源。这三个电源依次称为A相、B相和C相。

上述三相电压的相序（次序）A、B、C称为正序或顺序。与此相反，称为反序或逆序。电力系统一般采用正序。

E. 三极管的核心是什么

什么是三极管 （也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，我们常说的三极管，可能是 如图所示的几种器件， 可以看到，虽然都叫三极管，其实在英文里[1]面的说法是千差万别的，三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇 电子三极管 Triode 这个是英汉字典里面“三极管”这个词汇的唯一英文翻译，这是和电子三极管最早出现有关系的，所以先入为主，也是真正意义上的三极管这个词最初所指的物品。其余的那些被中文里叫做三极管的东西，实际翻译的时候是绝对不可以翻译成Triode的，否则就麻烦大咯，严谨的说，在英文里面根本就没有三个脚的管子这样一个词汇！！！ 电子三极管 Triode （俗称电子管的一种） 双极型晶体管 BJT （Bipolar Junction Transistor） J型场效应管 Junction gate FET（Field Effect Transistor） 金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conctor Field Effect Transistor)英文全称 V型槽场效应管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconctor ） 注：这三者看上去都是场效应管，其实结构千差万别 J型场效应管 金属氧化物半导体场效应晶体管 V沟道场效应管 是 单极（Unipolar）结构的，是和 双极（Bipolar）是对应的，所以也可以统称为单极晶体管（Unipolar Junction Transistor） 其中J型场效应管是非绝缘型场效应管，MOS FET 和VMOS都是绝缘型的场效应管 VMOS是在 MOS的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了V型槽，使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升，但是同时也大幅增加了MOS的输入电容，是MOS管的一种大功率改经型产品，但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异。VMOS只有增强型的而没有MOS所特有的耗尽型的MOS管编辑本段三极管的发明 1947年12月23日，美国新泽西州墨累山的贝尔实验室里，3位科学家——巴丁博士、布菜顿博士和肖克莱博士在紧张而又有条不紊地做着实验。他们在导体电路中正在进行用半导体晶体把声音信号放大的实验。3位科学家惊奇地发现，在他们发明的器件中通过的一部分微量电流，竟然可以控制另一部分流过的大得多的电流，因而产生了放大效应。这个器件，就是在科技史上具有划时代意义的成果——晶体管。因它是在圣诞节前夕发明的，而且对人们未来的生活发生如此巨大的影响，所以被称为“献给世界的圣诞节礼物”。另外这3位科学家因此共同荣获了1956年诺贝尔物理学奖。 晶体管促进并带来了“固态革命”，进而推动了全球范围内的半导体电子工业。作为主要部件，它及时、普遍地首先在通讯工具方面得到应用，并产生了巨大的经济效益。由于晶体管彻底改变了电子线路的结构，集成电路以及大规模集成电路应运而生，这样制造像高速电子计算机之类的高精密装置就变成了现实。编辑本段工作原理 晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。 对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。 当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。 在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）极基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流了。 由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo.根据电流连续性原理得： Ie=Ib+Ic 这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即： β1=Ic/Ib 式中：β1--称为直流放大倍数， 集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为： β= △Ic/△Ib 式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。 三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。 三极管放大时管子内部的工作原理 1、发射区向基区发射电子 电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。 2、基区中电子的扩散与复合 电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。 3、集电区收集电子 由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。编辑本段三极管的分类: a.按材质分: 硅管、锗管 b.按结构分: NPN 、 PNP。如图所示 。 c.按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等. 贴片三极管d. 按功率分：小功率管、中功率管、大功率管 e.按工作频率分：低频管、高频管、超频管 f.按结构工艺分：合金管、平面管 g.按安装方式:插件三极管、贴片三极管 插件三极管编辑本段三极管的主要参数a. 特征频率fT :当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作.b. 工作电压/电流 用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围.c. hFE 电流放大倍数.d. VCEO 集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压.e. PCM 最大允许耗散功率.f. 封装形式 指定该管的外观形状,如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在电路板上实现.编辑本段判断基极和三极管的类型 三极管的脚位判断，三极管的脚位有两种封装排列形式，如右图： 三极管是一种结型电阻器件，它的三个引脚都有明显的电阻数据，测试时（以数字万用表为例，红笔+，黒笔-）我们将测试档位切换至 二极管档 （蜂鸣档）标志符号如右图： 正常的NPN结构三极管的基极（B）对集电极（C）、发射极（E）的正向电阻是430Ω-680Ω（根据型号的不同，放大倍数的差异，这个值有所不同）反向电阻无穷大；正常的PNP 结构的三极管的基极（B）对集电极（C）、发射极（E）的反向电阻是430Ω-680Ω，正向电阻无穷大。集电极C对发射极E在不加偏流的情况下，电阻为无穷大。基极对集电极的测试电阻约等于基极对发射极的测试电阻，通常情况下，基极对集电极的测试电阻要比基极对发射极的测试电阻小5-100Ω左右（大功率管比较明显），如果超出这个值，这个元件的性能已经变坏，请不要再使用。如果误使用于电路中可能会导致整个或部分电路的工作点变坏，这个元件也可能不久就会损坏，大功率电路和高频电路对这种劣质元件反应比较明显。 尽管封装结构不同，但与同参数的其它型号的管子功能和性能是一样的，不同的封装结构只是应用于电路设计中特定的使用场合的需要。 要注意有些厂家生产一些不规范元件，例如C945正常的脚位是BCE，但有的厂家出的此元件脚位排列却是EBC，这会造成那些粗心的工作人员将新元件在未检测的情况下装入电路，导致电路不能工作，严重时烧毁相关联的元器件，比如电视机上用的开关电源。 在我们常用的万用表中，测试三极管的脚位排列图： 先假设三极管的某极为“基极”,将黑表笔接在假设基极上,再将红表笔依次接到其余两个电极上,若两次测得的电阻都大(约几K到几十K),或者都小(几百至几K),对换表笔重复上述测量,若测得两个阻值相反(都很小或都很大),则可确定假设的基极是正确的,否则另假设一极为“基极”,重复上述测试,以确定基极. 当基极确定后,将黑表笔接基极,红表笔笔接其它两极若测得电阻值都很少,则该三极管为NPN,反之为PNP. 判断集电极C和发射极E,以NPN为例: 把黑表笔接至假设的集电极C,红表笔接到假设的发射极E,并用手捏住B和C极,读出表头所示C,E电阻值,然后将红,黑表笔反接重测.若第一次电阻比第二次小,说明原假设成立. 体三极管的结构和类型 晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种， 从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。 发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。 三极管的封装形式和管脚识别 常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律， 底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。 目前，国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。 晶体三极管的电流放大作用 晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。 晶体三极管的三种工作状态 截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。 放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β＝ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。 饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。 根据三极管工作时各个电极的电位高低，就能判别三极管的工作状态，因此，电子维修人员在维修过程中，经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压，从而判别三极管的工作情况和工作状态。 使用多用电表检测三极管 三极管基极的判别：根据三极管的结构示意图，我们知道三极管的基极是三极管中两个PN结的公共极，因此，在判别三极管的基极时，只要找出两个PN结的公共极，即为三极管的基极。具体方法是将多用电表调至电阻挡的R×1k挡，先用红表笔放在三极管的一只脚上，用黑表笔去碰三极管的另两只脚，如果两次全通，则红表笔所放的脚就是三极管的基极。如果一次没找到，则红表笔换到三极管的另一个脚，再测两次；如还没找到，则红表笔再换一下，再测两次。如果还没找到，则改用黑表笔放在三极管的一个脚上，用红表笔去测两次看是否全通，若一次没成功再换。这样最多没量12次，总可以找到基极。 三极管类型的判别： 三极管只有两种类型，即PNP型和NPN型。判别时只要知道基极是P型材料还N型材料即可。当用多用电表R×1k挡时，黑表笔代表电源正极，如果黑表笔接基极时导通，则说明三极管的基极为P型材料，三极管即为NPN型。如果红表笔接基极导通，则说明三极管基极为N型材料，三极管即为PNP型。 三极管的基本放大电路 基本放大电路是放大电路中最基本的结构，是构成复杂放大电路的基本单元。它利用双极型半导体三极管输入电流控制输出电流的特性，或场效应半导体三极管输入电压控制输出电流的特性，实现信号的放大。本章基本放大电路的知识是进一步学习电子技术的重要基础。 基本放大电路一般是指由一个三极管或场效应管组成的放大电路。从电路的角度来看，可以将基本放大电路看成一个双端口网络。放大的作用体现在如下方面： 1．放大电路主要利用三极管或场效应管的控制作用放大微弱信号，输出信号在电压或电流的幅度上得到了放大，输出信号的能量得到了加强。 2．输出信号的能量实际上是由直流电源提供的，只是经过三极管的控制，使之转换成信号能量，提供给负载。 共射组态基本放大电路的组成 共射组态基本放大电路是输入信号加在加在基极和发射极之间，耦合电容器C1和Ce视为对交流信号短路。输出信号从集电极对地取出，经耦合电容器C2隔除直流量，仅将交流信号加到负载电阻RL之上。放大电路的共射组态实际上是指放大电路中的三极管是共射组态。 在输入信号为零时，直流电源通过各偏置电阻为三极管提供直流的基极电流和直流集电极电流，并在三极管的三个极间形成一定的直流电压。由于耦合电容的隔直流作用，直流电压无法到达放大电路的输入端和输出端。 当输入交流信号通过耦合电容C1和Ce加在三极管的发射结上时，发射结上的电压变成交、直流的叠加。放大电路中信号的情况比较复杂，各信号的符号规定如下：由于三极管的电流放大作用，ic要比ib大几十倍，一般来说，只要电路参数设置合适，输出电压可以比输入电压高许多倍。uCE中的交流量 有一部分经过耦合电容到达负载电阻，形成输出电压。完成电路的放大作用。 由此可见，放大电路中三极管集电极的直流信号不随输入信号而改变，而交流信号随输入信号发生变化。在放大过程中，集电极交流信号是叠加在直流信号上的，经过耦合电容，从输出端提取的只是交流信号。因此，在分析放大电路时，可以采用将交、直流信号分开的办法，可以分成直流通路和交流通路来分析。 放大电路的组成原则： 1．保证放大电路的核心器件三极管工作在放大状态，即有合适的偏置。也就是说发射结正偏，集电结反偏。 2．输入回路的设置应当使输入信号耦合到三极管的输入电极，形成变化的基极电流，从而产生三极管的电流控制关系，变成集电极电流的变化。 3．输出回路的设置应该保证将三极管放大以后的电流信号转变成负载需要的电量形式（输出电压或输出电流）。三极管的符号 中间横线是基极B，另一斜线是集电极C，箭头的是发射极E。 三极管的符号三极管的命名 ： 国产半导体器型号的命名方法（摘自国家标准GB249_74） 型号组成 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 用阿拉伯数字表示器件电极数 用字母表示器件的材料和极性 用汉语拼音字母表示器件类型 用数字表示器件序号 用汉语拼音字母表示规格 符号及意义 2 二极管 A N型锗材料 P 普通管 B P型锗材料 V 微波管 C N型硅材料 W 稳压管 D P型硅材料 C 参量管 3 三极管 A PNP锗材料 Z 整流管 B NPN锗材料 L 整流管 C PNP型硅材料 S 隧道管 D NPN型硅材料 N 阻尼管 E 化合物材料 U 光电器件 K 开关器 X 低频小功率管 G 高频小功率管 D 低频大功率管 A 高频大功率管 T 半导体闸流管 Y 体效应器件 B 雪崩管 J 阶跃恢复管 CS 场效应器 BY 半导体特殊器件 FH 复合管 PIN PIN型管 JG 激光器件 三极管的选型与替换 ： 1.首先要进行参数对比，如果不知道参数可以先在网络收搜索他的规格书，了解其参数。行业里大家用的多的是http://www.alldatasheet.com一个英文网站； 2.知道参数，尤其是BVCBO,BVCEO,BVEBO,HFE,ft,VCEsat参数。通过各个参数的 比较，找相似的产品。即使知道了参数以后也不好找，一些书籍都过时了，没有收集新的产品进去。最近看到一个创意不错的网站，半导体百事通网 有个参数选型栏目，可以针对半导体器件的参数对照组合筛选来选型http://www.semibest.com 直插封装的型号 贴片的型号 极性 Ft VCEO Ic hfe 配对型号 9011 1T NPN 150MHz 18V 100mA 28~132 9012 2T PNP 150MHz 25V 500mA 64~144 9013 9013 J3 NPN 9014 J6 NPN 150MHz 18V 100mA 60~400 9015 9015 M6 PNP 9016 Y6 NPN 500MHz 20V 25mA 28~97 9018 J8 NPN 700MHZ 12V 100mA 28~72 S8050 J3Y NPN 100MHz 25V 1.5A 45~300 S8550 S8550 2TY PNP 8050 Y1 NPN 100MHz 25V 1A 85~300 8550 8550 Y2 PNP 2SA1015 BA PNP 2SC1815 HF NPN 80MHz 50V 150mA 70~700 1015 2SC945 CR NPN 250MHz 50V 100mA 200~600 2SA733 CS MMBT3904 1AM NPN 300MHz 60V 100mA 300@10mA 3906 MMBT3906 2A PNP MMBT2222 1P NPN 250MHz 60V 600mA 100@150mA MMBT5401 2L PNP 100MHz 150V 500mA 40~200 5551 MMBT5551 G1 NPN MMBTA42 1D NPN 50MHz 300V 100mA 40@10mA MMBTA92 2D PNP BC807-16 5A PNP BC807-25 5B PNP 80MHz 45V 500mA 250@100mA BC817-25 BC807-40 5C PNP 80MHz 45V 500mA 250@100mA BC817-40 BC817-16 6A NPN BC817-25 6B NPN BC817-40 6C NPN BC846A 1A NPN 250MHz 65V 100mA 140 BC856 BC846B 1B NPN 250 BC847A 1E NPN 45V BC857 BC847B 1F BC847C 1G NPN 420~800 BC848A 1J NPN 30V BC848B 1K BC848C 1L BC856A 3A PNP BC856B 3B BC857A 3E BC857B 3F BC858A 3J BC858B 3K BC858C 3L 2SC3356 R23 NPN 7GHz 20V 100mA 50~300 2SC3838 AD 带反向二极管的N沟道FET 2N7002 702 40V 400mA BSS138 50V 200mA 下面是带电阻的三极管 UN2111 V1 NNP 150MHz 50V 100mA UN2112 V2 UN V3 UN2211 V4 UN2212 V5 UN2213 V6 ************************************************编辑本段测判三极管的口诀 三极管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功，为了帮助读者迅速掌握测判方法，笔者总结出四句口诀：“三颠倒，找基极；PN结，定管型；顺箭头，偏转大；测不准，动嘴巴。”下面让我们逐句进行解释吧。1： 三颠倒，找基极 大家知道，三极管是含有两个PN结的半导体器件。根据两个PN结连接方式不同，可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极管。 测试三极管要使用万用电表的欧姆挡，并选择R×100或R×1k挡位。图2绘出了万用电表欧姆挡的等效电路。红表笔所连接的是表内电池的负极，黑表笔则连接着表内电池的正极。 假定我们并不知道被测三极管是NPN型还是PNP型，也分不清各管脚是什么电极。测试的第一步是判断哪个管脚是基极。这时，我们任取两个电极(如这两个电极为1、2)，用万用电表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻，观察表针的偏转角度；接着，再取1、3两个电极和2、3两个电极，分别颠倒测量它们的正、反向电阻，观察表针的偏转角度。在这三次颠倒测量中，必然有两次测量结果相近：即颠倒测量中表针一次偏转大，一次偏转小；剩下一次必然是颠倒测量前后指针偏转角度都很小，这一次未测的那只管脚就是我们要寻找的基极。2：PN结，定管型 找出三极管的基极后，我们就可以根据基极与另外两个电极之间PN结的方向来确定管子的导电类型。将万用表的黑表笔接触基极，红表笔接触另外两个电极中的任一电极，若表头指针偏转角度很大，则说明被测三极管为NPN型管；若表头指针偏转角度很小，则被测管即为PNP型。3：顺箭头，偏转大 找出了基极b，另外两个电极哪个是集电极c，哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO的方法确定集电极c和发射极e。 (1) 对于NPN型三极管，穿透电流的测量电路。根据这个原理，用万用电表的黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻Rce和Rec，虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小，但仔细观察，总会有一次偏转角度稍大，此时电流的流向一定是：黑表笔→c极→b极→e极→红表笔，电流流向正好与三极管符号中的箭头方向一致顺箭头，所以此时黑表笔所接的一定是集电极c，红表笔所接的一定是发射极e。 (2) 对于PNP型的三极管，道理也类似于NPN型，其电流流向一定是：黑表笔→e极→b极→c极→红表笔，其电流流向也与三极管符号中的箭头方向一致，所以此时黑表笔所接的一定是发射极e，红表笔所接的一定是集电极c。4：测不出，动嘴巴 若在“顺箭头，偏转大”的测量过程中，若由于颠倒前后的两次测量指针偏转均太小难以区分时，就要“动嘴巴”了。具体方法是：在“顺箭头，偏转大”的两次测量中，用两只手分别捏住两表笔与管脚的结合部，用嘴巴含住(或用舌头抵住)基电极b，仍用“顺箭头，偏转大”的判别方法即可区分开集电极c与发射极e。其中人体起到直流偏置电阻的作用，目的是使效果更加明显。 [2] 三极管的哲学意义： 三极管是人类最伟大的发明，诺贝尔奖也无法呈现出“他”巨大的历史意义，看似简单又极其普通的信号放大功能，本质上是连接了“意识”与“行为”，而此正是生命的特征。可以说三极管的发明标识着人类具备了只有上帝才拥有的创造生命的能力。

F. PLC的基本结构包括哪些单元

PLC：可编程逻辑控制器实质是一种专用于工业控制的计算机，其硬件结构基本上与微型计算机相同，基本构成为：
一、电源：
可编程逻辑控制器的电源在整个系统中起着十分重要的作用。如果没有一个良好的、可靠的电源系统是无法正常工作的，因此，可编程逻辑控制器的制造商对电源的设计和制造也十分重视。一般交流电压波动在+10%(+15%)范围内，可以不采取其它措施而将PLC直接连接到交流电网上去
二、中央处理单元(CPU)：
中央处理单元(CPU)是可编程逻辑控制器的控制中枢。它按照可编程逻辑控制器系统程序赋予的功能接收并存储从编程器键入的用户程序和数据；检查电源、存储器、I/O以及警戒定时器的状态，并能诊断用户程序中的语法错误。当可编程逻辑控制器投入运行时，首先它以扫描的方式接收现场各输入装置的状态和数据，并分别存入I/O映象区，然后从用户程序存储器中逐条读取用户程序，经过命令解释后按指令的规定执行逻辑或算数运算的结果送入I/O映象区或数据寄存器内。等所有的用户程序执行完毕之后，最后将I/O映象区的各输出状态或输出寄存器内的数据传送到相应的输出装置，如此循环运行，直到停止运行。
为了进一步提高可编程逻辑控制器的可靠性，对大型可编程逻辑控制器还采用双CPU构成冗余系统，或采用三CPU的表决式系统。这样，即使某个CPU出现故障，整个系统仍能正常运行。
三、存储器：
存放系统软件的存储器称为系统程序存储器。
存放应用软件的存储器称为用户程序存储器。
四、输入输出接口电路：
1．现场输入接口电路由光耦合电路和微机的输入接口电路，作用是可编程逻辑控制器与现场控制的接口界面的输入通道。
2．现场输出接口电路由输出数据寄存器、选通电路和中断请求电路集成，作用可编程逻辑控制器通过现场输出接口电路向现场的执行部件输出相应的控制信号。
五、功能模块：
如计数、定位等功能模块。
六、通信模块。

G. 解释一下什么是电子元器件

电子元器件是电子元件和小型的机器、仪器的组成部分，其本身常由若干零件构成，可以在同类产品中通用；常指电器、无线电、仪表等工业的某些零件，是电容、晶体管、游丝、发条等电子器件的总称。常见的有二极管等。
电子元器件包括：电阻、电容、电感、电位器、电子管、散热器、机电元件、连接器、半导体分立器件、电声器件、激光器件、电子显示器件、光电器件、传感器、电源、开关、微特电机、电子变压器、继电器、印制电路板、集成电路、各类电路、压电、晶体、石英、陶瓷磁性材料、印刷电路用基材基板、电子功能工艺专用材料、电子胶（带）制品、电子化学材料及部品等。
电子元器件在质量方面国际上有欧盟的CE认证，美国的UL认证，德国的VDE和TUV以及中国的CQC认证等国内外认证，来保证元器件的合格。
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H. 五大电子元器件是什么

五大电子元器件是指二极管、三极管、MOS管、电容、电阻。
电子元器件是电子元件和电小型的机器、仪器的组成部分，其本身常由若干零件构成，可以在同类产品中通用;常指电器、无线电、仪表等工业的某些零件，如电容、晶体管、游丝、发条等子器件的总称。常见的有二极管等。
电子元器件包括:电阻、电容器、电位器、电子管、散热器、机电元件、连接器、半导体分立器件、电声器件、激光器件、电子显示器件、光电器件、传感器、电源、开关、微特电机、电子变压器、继电器、印制电路板、集成电路、各类电路、压电、晶体、石英、陶瓷磁性材料、印刷电路用基材基板、电子功能工艺专用材料、电子胶(带)制品、电子化学材料及部品等。
电子元器件在质量方面国际上面有中国的CQC认证，美国的UL和CUL认证，德国的VDE和TUV以及欧盟的CE等国内外认证，来保证元器件的合格。

I. 哈尔滨工业大学模拟电路与数字电路的教材目录

模拟电路的
目录
绪论
第一章 半导体器件
第一节 半导体基础知识
第二节 半导体二极管
第三节 半导体三极管
第四节 声效应晶体管（FET）
本章小结
思考题与习题
第二章 基本单元电路
第一节 放大概念及放大电路的性能指标
第二节 放大电路的组成及工作原理
第三节 放大电路的分析方法
第四节 工作点稳定电路
第五节 放大电路的三种组态及其性能比较
第六节 场效应管基本放大电路
第七节 差动放大电路
第八节 电流电源电路
本章小结
思考题与习题
第三章 多级放大电路与频率响应
第一节 多级放大电路的一般问题
第二节 直接耦合放大电路
第三节 阻容耦合多组放大电路
第四节 放大电路频率响应
本章小结
思考题与习题
第四章 集成运算放大器
第一节 集成运放简介
第二节 通用型集成运算放大器
第三节 集成运放的主要参数
第四节 集成运放使用的一些实际问题
第五节 理想运入及三种基本输入方式
本章小结
思考题与习题
第五章 功率放大电路
第一节 功率放大电路的特点及分类
第二节 基本OCL电路与交越失真
第三节 无失真的OCL电路
第四节 OCL电路简介
第五节 互补对称功放分析计算举例
第六节 集成功率放大电路
本章小结
思考题与习题
第六章 放大电路中的反馈
第一节 反馈的基本概念
第二节 反馈放大电路的方块图及闭环放大倍数的一般表达式
第三节 负反馈放大电路的四种组态
第四节 负反馈对放大电路性能的改善
第五节 正确引入负反馈的原则
第六节 深度负反馈放大电路的计算
第七节 负反馈放大电路的计算
本章小结
思考题与习题
第七章 集成运算放大器的应用
第一节 基本运算电路
第二节 集成模拟乘法器
第三节 有源滤波电路
第四节 开关电容滤波器
第五节 电压比较器
本章小结
思考题与习题
第八章 信号发生电路
第一节 概述
第二节 RC正弦波振荡电路
第三节 LC正弦波振荡电路
第四节 石英晶体振荡器简介
第五节 矩形波发生电路
第六节 三角波发生电路
第七节 锯齿波发生电路
第八节 集成函数发生器8038简介
本章小结
思考题与习题
第九章 直流稳压电路
第一节 整流电路
第二节 滤波电路
第三节 稳压电路
第四节 开关稳压电源电路（SMR电路）
本章小结
思考题与习题
参考文献

数电的没找到

电路基础
目录
第—章 电路模型和电路定律
1—1 电路和电路图
1—2 电流、电压及其参考方向
1—3 电功率
1—4 电阻元件
1—5 电容元件
1—6 电感元件
1—7 电压源和电流源
1—8 受控源
1—9 基尔霍夫定律
1—10 电路的拓扑图基尔霍夫定律的矩阵形式
习题一
第二章 电阻电路的等效变换和化简
2—1 电路等效的概念
2—2 电阻的串联和并联
2—3 电阻的Y—△联接及其等效互换
2—4 电源的串联和并联
2—5 有源电阻电路的等效变换
2—6 简单电阻电路的分析
习题二
第三章 网络分析方法和网络定理
3—1 支路电流法
3—2 回路电流法
3—3 节点电压法
3—4 含受控源电路的分析
3—5 叠加定理
3—6 替代定理
3—7 戴维南定理与诺顿定理
3—8 特勒根定理
3—9 互易定理
3—10 对偶原理
习题三
第四章 正弦电路的基本概念
4—1 正弦量的有关概念
4—2 用相量表示正弦量
4—3 电阻感和电容元件在正弦电路中的特性
4—4 基尔霍夫定律的相量形式
4—5 复阻抗和复导纳
习题四
第五章 正弦电路的稳态分析
5—1 串并联电路的分析
5—2 复杂电路的分析
5—3 正弦电路中的功率
5—4 最大功率传输
习题五
第六章 三相电路
6—1 对称三相电源
6—2 对称三相电路的计算
6—3 不对称三相电路的概念
6—4 三相电路的功率及其测量
习题六
第七章 互感电路
7—l 互感系数和耦合系数
7—2 互感电压及同名端
7—3 互感元件的联接去耦等效电路
7—4 具有互感的正弦电路的分析
7—5 空芯变压器
习题七
第八章 谐振电路
8—l 串联电路的谐振
8—2 串联电路的谐振曲线和通频带
8—3 并联电路的谐振
8—4 互感耦合电路的谐振
习题九
第九章 周期性非正弦电路
9—l 周期函数分解为傅里叶级数
9—2 周期性非正弦电压、电流的有效值平均功率
9—3 周期性非正弦电路的计算
9—4 滤波电路的概念
习题九
第十章 —阶电路
10—l 电路的初始条件
10—2 零输入响应
10—3 零状态响应
10—4 全响应
10—5 三要素法
10—6 阶跃响应和冲激响应
10—7 卷积积分
10—8 电容电压和电感电流的跃变
习题十
第十—章 二阶电路
11—1 RLC串联电路的零输入响应
ll—2 RLC串联电路对恒定输入的响应
习题十—

电路2种,还有就是电路理论基础
目录
第一章 电路的基本概念
1.1 实际电路与电路模型
1.2 电路中的物理量
1.3 电路结构
习题一
第二章 电路的基本定律和基本元件
2.1 基尔霍夫电流定律
2.2 基尔霍夫电压定律
2.3 二端电阻元件
2.4 独立电源
2.5 二端电容元件
2.6 二端电感元件
2.7 双口电阻
2.8 互感元件
2.9 受控电源
2.10 理想运算放大器
习题二
第三章 线性直流电路的网络方程分析法
3.1 电路的线图
3.2 独立的基尔霍夫定律方程
3.3 电路完备的数学模型及支路法
3.4 独立而完备的电路变量
3.5 节点法
3.6 割集法
3.7 网孔法和回路法
3.8 [A]、[B]、[C]矩阵之间的关系
习题三
第四章 电路定理及电路的等效化简
4.1 叠加定理与齐性定理
4.2 置换定理
4.3 特勒根定理
4.4 互易定理
4.5 等效网络及等效变换
4.6 无独立源一端口网络的等效化简
4.7 含源一端口网络的等效化简及等效电源定理
4.8 无独立源二端口网络的等效参数
4.9 无独立源双口网络的等效电路
4.10 互联双口的等效参数
4.11 对偶原理
习题四
第五章 线性正弦电流电路稳态分析的相量法
5.1 正弦量的基本概念
5.2 正弦量与相量的变换
5.3 相量形式的基尔霍夫定律
5.4 相量形式的电路元件约束方程
5.5 复阻抗与复导纳
5.6 正弦电流电路稳态分析的相量法
5.7 含互感元件的电路
5.8 正弦电流电路的功率
习题五
第六章 非正弦周期电流电路
6.1 非正弦周期量的谐波分析
6.2 非正弦周期电流电路中的有效值和乎均功率
6.3 非正弦周期电流电路的分析
习题六
第七章 频率特性和谐振
7.1 频率特性及滤波
7.2 串联谐振电路
7.3 并联谐振电路
习题七
第八章 三相电路
8.1 三相电路的基本概念
8.2 对称三相电路的电压、电流、功率
8.3 对称三相电路的计算
8.4 不对称三相电路的概念
习题八
第九章 动态电路暂态过程的时域分析
9.1 动态电路的暂态过程及其电路方程
9.2 动态电路暂态过程的初始值
9.3 一阶电路的微分方程及其解的普遍形式
9.4 一阶电路的零输入响应
9.5 一阶电路的零状态响应
9.6 一阶电路的全响应
……
第十章 动态电路的复频域分析
第十一章 简单非线性电阻电路
第十二章 Pspice分析电路
部分习题答案
主要参考书目