工業電路有哪些基本單元

A. 電路的基本概念及定律

知識點：

1.電路的基本物理量及其方向；

2.電阻元件和電源元件；

3.歐姆定律和基爾霍夫定律。

1.1 電路
電路就是一個為了完成某種功能而由一系列電氣器件和導線按一定方式連接起來的電流通路。這些功能比如：電能的傳輸、分配與轉換；電信號的傳輸、分配與轉換等。

電路一般由電源(或者信號源)、負載和中間環節三部分組成。其中電源(信號源)是將其他形式的能量或信號轉換為電能或電信號的裝置。負載是使用電能，將電能轉換為其他形式能量的裝置。中間環節聯接電源與負載之間，是傳送、控制電能或電信號的部分。

電路的基本參數（物理量）

1.1.1 電流

電荷在電場力作用下，作有規則的定向運動，從而形成電流。

交流（AC）：i=\frac{dq}{dt} \\ 直流（DC）：I=\frac{q}{t} \\

方向：規定正電荷運動的方向為電流的正方向。大小用電流強度，來表示。

電流強度的單位：安（培），符號：A。

含義：如果1秒內通過導體橫截面的電量是1庫侖（C），則該導體中的電流為1安（A）。 常用單位：毫安（mA），微安（μA）。

1kA=10^{3}A=10^{6}mA=10^{9}\mu A \\

電流的方向只有兩種可能，課時在對實際電路進行分析時，我們事先往往並不知道電流的實際方向。

電流的參考方向：若任選某一方向作為電流的方向，在電路圖中用箭頭表示，並以這個方向來列電路方程、分析計算，那麼這種人為規定的電流方向就稱為電流的參考方向。

參考方向表示符號：

①雙下標表示法，如圖（c）: i_{ab}=-i_{ba}

②箭頭表示法，如圖(a) 。

在規定參考方向後，電流就可以用一個代數量表示，即它不僅有數值，而且包含正、負 號。因此，只有參考方向選定之後，電流之值才有正負之分。再說一遍：電流為負，只是說明實際方向與參考方向相反，並不是真的比零還小。

按參考方向分析電路得出的電流為正值(i>0)，表明電流的參考方向與實際方向相同。 反之，若得出的電流為負值(i<0)，則表明電流的參考方向與實際方向相反，如圖（a）、(b)所示。

1.1.2 電壓、電位及電動勢

一、電壓：電路中a、b兩點間的電壓為單位正電荷在電場力的作用下由a點轉移到b點時電場力所做的功，即

u_{ab}=\frac{dW}{dq} 或者U_{ab}=\frac{W_{ab}}{q}\\

方向：電壓的方向是電位降低的方向。電壓的單位：伏（特），符號：V。

常用單位：千伏（kV），伏（V），毫伏（mV）。

1kV=10^{3}V=10^{6}mV \\

在分析電路時，和電流一樣，電壓也要任意選定其參考方向。按照所選定的參考方向分析電路，得出的電壓為正值(u>0)，表明電壓的實際方向與參考方向一致；反之，若得出的電壓為負值(u<0)，則表明電壓的實際方向與參考方向相反。

當元件的電流與電壓參考方向一致時，稱為關聯參考方向，反之，則為非關聯參考方向。

電路中表示電壓的參考方向的方法有三種，a、b兩點間電壓的參考方向

一是用箭頭表 示；二是用「+」「-」符號表示；三是書寫時用帶雙下標的字母 u_{ab} 表示,如圖所示。

電壓參考方向的表示方法
對一 個元件或一段電路上的電壓參考方向和電流參考方向可以獨立地任意選定。若電壓和電流的參考方向相同，則把電壓和電流的這種參考方向稱為關聯參考方向，如圖所示。

電壓和電流關聯參考方向
二、電位：

若任取一點o作為參考點，則由某點a到參考點o的電壓 稱為a點的電位，用 u_{a} 表示。

顯然 u_{o}=0 ，也就是參考點的電位為零。

電壓與電位的關系：a、b兩點間的電壓等於這兩點電位之差，即

u_{ab}=u_{a}-u_{b} \\

三、電動勢：

電動勢在數值上等於非電場力把單位正電荷由負極經電源內部移到正極所做的功。顯 然,電動勢的單位也是伏[特](V)。用符號 e 表示，即

e=\frac{dW_{s}}{dq} \\

通常規定電動勢的實際方向是由電源的負極指向電源的正極。同電流和電壓一樣,在 電路中所標出的電動勢的方向也是它的參考方向。

方向：電位升高的方向。

表示形式：常用正（+）極性表示電源的高電位，用負（-）極性表示其低電位。

電動勢的單位：伏（特），符號：V。

電源端電壓與電動勢的關系
當電壓和電動勢的方向不隨時間而變化時，稱為直流電壓和直流電動勢；當電壓和電動勢的量值與方向都不隨時間而變化時，稱為穩恆直流電壓和穩恆直流電動勢，分別用符號U和E來表示。

1.1.3 電功率

電功率（功率）：電能轉換的速率，單位時間內轉換的電能，即

p=\frac{dW}{dt}=ui \\

直流：P=UI \\

功率的單位：瓦（特），符號：W。

含義：元件端電壓為1V，通過電流為1A時，則該元件吸收功率為1W。

常用單位：兆瓦（MW），千瓦（kW），毫瓦（mW）。

在關聯參考方向下： P=UI 在非關聯參考方向下： P=-UI

1.1.4 電能

定義從 t_{0} 到 t 時間內，電路吸收的電能（量）為

W=\int_{t_{0}}^{t}pdt \\ 直流時 W=P(t-t_{0}) \\

電能的單位：焦（耳），符號：J。

含義：1焦耳等於功率為1瓦的用電設備，在1秒內消耗的電能。工業現場，還採用千瓦小時（kWh）作為電能的單位。

1kWh=10^{3}W\times3600s=3.6 \times 10^{6}J \\

1.2 電路模型及理想電路元件

電路模型 實際電路

實際的電氣元件外形千差萬別，功能多種多樣。組成電路的實際電氣器件往往比較復雜（外形多樣），功能多種多樣，電磁現象、電磁性能多方面交織。為研究方便，我們要將實際的器件加以理想化，即只考慮起主要作用的某些電磁現象，而忽略其它現象。也就是我們使用理想電路元件和電路模型的概念。

電路模型是實際電路抽象而成，使用它近似地反映實際電路的電氣特性。電路模型由一系列理想電路元件用理想導線連結而成。用不同特性的電路元件按照不同的方式連結就構成不同特性的電路模型，在稱呼上我們仍然稱為電路。

注意：電路分析的對象是電路模型，不是實際電路。

1.2.1 理想電路元件（簡稱電路元件）：

電路元件的理想化（模型化）：在一定條件下，突出元件主要的電磁性質，忽略其次要因素，把它近似地看作理想電路元件，這樣便於對實際電路進行分析和用數學描述。

集總參數元件：每一種元件只表示一種基本電磁現象，並用一個准確的數學表達式來描述其基本電磁性能。用一個准確的數學表達式來描述其主要電磁性能的元器件就稱為理想電路元件。

在任一時刻，集總參數元件具有如下約束：

1）從具有兩個端子的理想元件的某一端流出的電流恆等於從另一端流入的電流；

2）兩個端子間的電壓值是完全確定的。

基本的電路元件有三類：

一、電阻元件：簡稱電阻，只表示消耗電能的二端元件。

二、電感元件：簡稱電感，反映電路周圍存在著磁場而可以儲存磁場能量的二端元件。

三、電容元件：簡稱電容，反映電路及其附近存在著電場而可以儲存電場能量的元件。

由理想化的集總參數元件構成的電路模型，簡稱電路。

1.2.2 電阻元件

電壓電流關系：伏安特性曲線。在 電壓-電流（u-i ）坐標平面上，表示元件電壓電流關系（VCR）的曲線稱為伏安特性曲線。

電阻元件的伏安特性
線性電阻：伏安特性曲線是通過原點的直線的電阻。

線性電阻
其表達式為 u=Ri 。以後如果不加特殊說明，所說的電阻都是線性電阻。

一、歐姆定律：在同一電路中,通過某段導體的電流跟這段導體兩端的電壓成正比，跟這段導體的電阻成反比。

電阻的單位是歐（姆），符號Ω 。

在關聯參考方向下： u=Ri

u與i非關聯參考方向
在非關聯參考方向下： u=-Ri

二、電導：定義電阻的倒數稱為電導。 G=\frac{1}{R} 單位是西門子（S）。

三、電阻的功率

在電壓和電流的關聯方向下，任何時刻線性電阻元件吸收的電功率為

P=Ri^{2}=Gu^{2} \\

焦耳定律：

電阻元件把吸收的電能轉換成熱能，即從 t_{0} 到 t 時間內，電阻元件消耗的電能為

1.2.3 理想電源元件

理想電源分為獨立源和受控源。獨立源分為獨立電壓源和獨立電流源，簡稱電壓源和電流源。

一、理想電壓源

基本性質：

①電壓是給定值或給定的時間函數，與流過的電流無關；

②電流是與相連的外電路共同決定的，在電壓一定的情況下，取決於外電路。

電壓源的符號及伏安特性
實際直流電壓源模型

U=U_{s}-R_{s}I \\ 實際直流電壓源的伏安關系

實際電壓源模型及伏安特性曲線
電源內阻R_{s}越小，就越接近於理想電壓源。

二、理想電流源

基本性質：

①電流是給定值或給定的時間函數，與電壓無關；

②電壓是與相連的外電路共同決定的，在電流一定的情況下，取決於外電路。

電流源的符號及伏安特性
實際直流電壓源模型

I=I_{s}-G_{s}U 實際直流電壓源的伏安關系

實際電流源模型及伏安特性曲線
電源內阻R_{s}越大（電導越小），就越接近於理想電流源。

三、受控源

受控源：受電路中另一部分的電壓或電流控制的電源，非獨立的電源。 受控源是一個二埠元件，用菱形符號表示。 受控源有以下四種類型：

說明：

① 獨立源與受控源的相同點：都可以對外電路作功。

② 獨立源與受控源的不同點：獨立源的輸出量是獨立的；受控源的輸出量是不獨立的。

1.3 電路中的基本概念
1.3.1 有載狀態、開路和短路

將圖所示電路中的開關S合上，電源與負載接成閉合電路，電路導通、是通路，即處於有載工作狀態。

有載工作狀態下,電路中的電流：設 R_{0} 為電源內阻，則負載電流

I=\frac{U}{R}=\frac{U_{s}}{R_{0}+R} \\

負載兩端電壓： U=U_{s}-IR_{0} \\

將上式兩邊乘以電流I，則電路中功率關系如下

UI=U_{s}I-I^{2}R_{0} \\

定義：電源輸出功率 P_{s}=U_{s}I 電源內部消耗的功率 P_{0}=I^{2}R_{0} 負載功率 P=UI

則： P=P_{s}-P_{0} \\

開路：若電路（或元件）的電阻為無限大，則當電壓是有限值時，其電流總是零，這時稱它為開路。

短路：若電路（或元件）的電阻為零，則當電流是有限值時，其電壓總是零，這時稱它為短路。

1.3.2 串聯和並聯：

一些二端元件首尾相連、中間沒有分支時，這種聯接方式稱為串聯；

一些二端元件的兩個端子分別連在一起時，這種聯接方式稱為並聯。

1.3.3 支路和結點：

一個或多個二端元件串聯組成的分支稱為一條支路。三條或三條以上支路的連接點稱為結點。如圖1電路，有6支路，4個結點。

圖1
1.3.4 迴路和網孔：

由一條或幾條支路組成的閉合路徑稱為迴路。

平面電路圖中，在迴路內部不另含有支路的迴路稱為網孔。如圖1電路，有6個迴路，3個網孔。

為了用圖論的辦法去分析復雜電路，我們往往把有多個網孔的電路稱作網路，有時網路和電路兩個概念混用。

1.3.4 參考方向與關聯參考方向

①在電路分析時，必須標注基本參數的參考方向。不標參考方向是沒有意義的。

②參考方向一經標定，在整個分析過程中就必須以此為准，不能變動。

③參考方向可以任意規定而不影響計算結果。

④電流和電壓參考方向可以分別獨立地規定。

⑤當元件的電流與電壓參考方向一致時，稱為關聯參考方向，反之，則為非關聯參考方向。

1.3.5 等效電路

對外電路來說，如果兩個二端網路（電路）N1和N2具有相同的伏安特性，我們就說N1和N2這兩個網路等效。

需要說明的是：

1)等效是指對外電路來說是等效的。

2)兩個等效網路的內部結構不見得是一樣的。

3)等效具有傳遞性的。如果兩個二端網路N1和N2等效，而二端網路N2又與N3等效，那麼必有二端網路N1和N3等效。

將一個網路變換為與其等效的另一個網路的過程稱為等效變換。

應用等效變換，可將一個結構較復雜的電路變換成一個結構較簡單的電路，使電路的分析得以簡化。

1.3.6 電氣設備（電氣元件）的額定值

工業用電設備或者家用電器中經常提到額定值的概念。在電路中的電氣設備，它們的工作電壓、電流、功率都有一個規定的安全、合理數值，這個 規定的安全合理 值就是電氣設備的額 定值。

額定值一般包括額定電壓 U_{N} 、額定電流 I_{N} 和額定功率 P_{N} 。電氣設備或元件的額定值可以從設備銘牌和產品手冊中查

B. 高頻電子電路中都包含哪些單元電路

運算放大電路（包含：放大，加減，積分，微分，指數等等）；
反饋放大電路（引入反饋概念）；
功率放大電路（大功率輸出驅動電路）；
信號產生電路（包含各種波形產生電路，方波三角波正弦波）；
信號處理與轉換電路
（包括波形整形，波形轉換，比較器電路，調制與解調，電壓電流轉換，電壓頻率轉換等等）；
電源穩壓電路（包含各類電源電路，如線性穩壓電源，開關電源，恆流源等等）。
模擬類大致就這么多種吧。

數字電路就太多了：
門電路，編碼器，解碼器，計數器，分頻器，緩沖器，驅動器，觸發器，運算器，寄存器，鎖存器，數據選擇器，模擬開關，鎖相環，定時器；
（還有微處理器，存儲器，A/D，D/A等微機類的）
太多了，自己慢慢學吧。

C. 超大規模集成電路的分類

集成電路按集成度高低的不同可分為小規模集成電路、中規模集成電路、大規模集成電路、超大規模集成電路、特大規模集成電路和巨大規模集成電路等。
小規模集成電路於1960年出現，在一塊矽片上包含10-100個元件或1-10個邏輯門。如 邏輯門和觸發器等。如果用小規模數字集成電路(SSI)進行設計組合邏輯電路時，是以門電路作為電路的基本單元，所以邏輯函數的化簡應使使用的門電路的數目最少，而且門的輸入端數目也最少。
中規模集成電路（Medium Scale Integration：MSI）
1966年出現，在一塊矽片上包含100-1000個元件或10-100個邏輯門。如 ：集成計時器，寄存器，解碼器等。
如果選用中規模集成電路(MSI)設計組合邏輯電路時，則以所用集成電路個數最少，品種最少，同時集成電路間的連線也最少。這往往需將邏輯函數表達式變換成選用電路所要求的表達形式，有時可直接用標准範式。
MSI中規模組合邏輯器件功能雖然比小規模集成電路SSI強，但也不像大規模集成電路LSI那樣功能專一化，這些器件產品的品種雖然不少，但也不可能完全符合使用者的要求，這就需要將多片級聯以擴展其功能，而且還可以用一些標準的中規模繼承組件來實現其它一些組合邏輯電路的設計。用中規模集成組件來進行組合邏輯電路設計時，其方法是選擇合適的MSI後，將實際問題轉化後的邏輯表達式變換為響應的MSI的表達形式。用MSI設計的組合邏輯電路與用門電路設計的組合邏輯電路相比，不僅體積小，重量較輕，而且提高了工作的可靠性。
中規模數據選擇起的級聯可擴展其選擇數據的路數，其功能擴展不僅可用於組合邏輯電路，而且還可用於時序邏輯電路。在組合邏輯電路中主要有以下應用：
（1）級聯擴展，以增加選擇的路數、位數，可實現由多位到多位的數據傳送；
（2）作邏輯函數發生器，用以實現任意組合邏輯電路的設計。
大規模集成電路(Large Scale Integrated circuits：LSI)
1970年出現，在一塊矽片上包含103-105個元件或100-10000個邏輯門。如 ：半導體存儲器，某些計算機外設。628512，628128（128K）最大容量1G。
超大規模集成電路(Very Large Scale Integrated circuits：VLSI)
在一塊晶元上集成的元件數超過10萬個，或門電路數超過萬門的集成電路，稱為超大規模集成電路。超大規模集成電路是20世紀70年代後期研製成功的，主要用於製造存儲器和微處理機。64k位隨機存取存儲器是第一代超大規模集成電路，大約包含15萬個元件，線寬為3微米。
超大規模集成電路的集成度已達到600萬個晶體管，線寬達到0.3微米。用超大規模集成電路製造的電子設備，體積小、重量輕、功耗低、可靠性高。利用超大規模集成電路技術可以將一個電子分系統乃至整個電子系統「集成」在一塊晶元上，完成信息採集、處理、存儲等多種功能。例如，可以將整個386微處理機電路集成在一塊晶元上，集成度達250萬個晶體管。超大規模集成電路研製成功，是微電子技術的一次飛躍，大大推動了電子技術的進步，從而帶動了軍事技術和民用技術的發展。超大規模集成電路已成為衡量一個國家科學技術和工業發展水平的重要標志，也是世界主要工業國家，特別是美國和日本競爭最激烈的一個領域。
特大規模集成電路(Ultra Large-Scale Integration：ULSI)
1993年隨著集成了1000萬個晶體管的16M FLASH和256M DRAM的研製成功，進入了特大規模集成電路ULSI (Ultra Large-Scale Integration)時代。特大規模集成電路的集成組件數在107～109個之間。
ULSI電路集成度的迅速增長主要取決於以下兩個因素：一是完美晶體生長技術已達到極高的水平；二是製造設備不斷完善，加工精度、自動化程度和可靠性的提高已使器件尺寸進入深亞微米級領域。硅單晶制備技術可使晶體徑向參數均勻，體內微缺陷減少，0.1~0.3um大小的缺陷平均可以少於0.05個/平方厘米。對電路加工過程中誘生的缺陷理論模型也有了較為完整的認識，由此發展了一整套完美晶體的加工工藝。生產電路用的矽片直徑的不斷增大，導致生產效率大幅度提高，矽片的直徑尺寸已達到12英寸。微缺陷的減少使晶元成品率增加，0.02個/平方厘米缺陷的矽片可使256MB DRAM的成品率達到80~90%。
巨大規模集成電路（Giga Scale Integration：GSI）
1994年由於集成1億個元件的1G DRAM的研製成功，進入巨大規模集成電路GSI（Giga Scale Integration）時代。巨大規模集成電路的集成組件數在109以上。

D. 三相電路基本原理

三相電路基本原理是具有一組或多組電源，每組電源由三個振幅相等、頻率相同、彼此間相位差一樣的正弦電源構成，且電源和負載採用特定的連接。

三相電源及三相負載都有星形和三角形兩種連接方式，當三相電源和三相負載通過輸電線（其阻抗為ZL）連接構成三相電路時，可形成五種連接方式，分別稱為Y0—Y0聯結（有中線）、Y—Y聯結（無中線）、Y一△聯結、△一Y聯結和△一△聯結。

在三相電路中，三相負載的連接方式決定於負載每相的額定電壓和電源的線電壓。由於對稱三相電路中每組的響應都是與激勵同相序的對稱量。

所以，每相不但相電壓有效值相等，相電流有效值也相等。而且每相電壓與電流的相位差也相等。從而每相的有功功率相等。

(4)工業電路有哪些基本單元擴展閱讀

在三相電路中，只要有一部分不對稱就稱為不對稱三相電路。

在三相電路中，三相負載吸收的復功率等於各項復功率之和。三相電路的瞬時功率為各相負載瞬時功率之和。在三相三線制電路中，不論對稱與否，都可以使用兩個功率表測量三相功率。即二瓦記法。

對稱三相電源是由3個等幅值、同頻率、初相依次相差120°的正弦電壓源連接成星形（Y）或三角形（△）組成的電源。這三個電源依次稱為A相、B相和C相。

上述三相電壓的相序（次序）A、B、C稱為正序或順序。與此相反，稱為反序或逆序。電力系統一般採用正序。

E. 三極體的核心是什麼

什麼是三極體 （也稱晶體管）在中文含義裡面只是對三個引腳的放大器件的統稱，我們常說的三極體，可能是 如圖所示的幾種器件， 可以看到，雖然都叫三極體，其實在英文里[1]面的說法是千差萬別的，三極體這個詞彙其實也是中文特有的一個象形意義上的的詞彙 電子三極體 Triode 這個是英漢字典裡面「三極體」這個詞彙的唯一英文翻譯，這是和電子三極體最早出現有關系的，所以先入為主，也是真正意義上的三極體這個詞最初所指的物品。其餘的那些被中文裡叫做三極體的東西，實際翻譯的時候是絕對不可以翻譯成Triode的，否則就麻煩大咯，嚴謹的說，在英文裡面根本就沒有三個腳的管子這樣一個詞彙！！！ 電子三極體 Triode （俗稱電子管的一種） 雙極型晶體管 BJT （Bipolar Junction Transistor） J型場效應管 Junction gate FET（Field Effect Transistor） 金屬氧化物半導體場效應晶體管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conctor Field Effect Transistor)英文全稱 V型槽場效應管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconctor ） 註：這三者看上去都是場效應管，其實結構千差萬別 J型場效應管 金屬氧化物半導體場效應晶體管 V溝道場效應管 是 單極（Unipolar）結構的，是和 雙極（Bipolar）是對應的，所以也可以統稱為單極晶體管（Unipolar Junction Transistor） 其中J型場效應管是非絕緣型場效應管，MOS FET 和VMOS都是絕緣型的場效應管 VMOS是在 MOS的基礎上改進的一種大電流，高放大倍數（跨道）新型功率晶體管，區別就是使用了V型槽，使MOS管的放大系數和工作電流大幅提升，但是同時也大幅增加了MOS的輸入電容，是MOS管的一種大功率改經型產品，但是結構上已經與傳統的MOS發生了巨大的差異。VMOS只有增強型的而沒有MOS所特有的耗盡型的MOS管編輯本段三極體的發明 1947年12月23日，美國新澤西州墨累山的貝爾實驗室里，3位科學家——巴丁博士、布菜頓博士和肖克萊博士在緊張而又有條不紊地做著實驗。他們在導體電路中正在進行用半導體晶體把聲音信號放大的實驗。3位科學家驚奇地發現，在他們發明的器件中通過的一部分微量電流，竟然可以控制另一部分流過的大得多的電流，因而產生了放大效應。這個器件，就是在科技史上具有劃時代意義的成果——晶體管。因它是在聖誕節前夕發明的，而且對人們未來的生活發生如此巨大的影響，所以被稱為「獻給世界的聖誕節禮物」。另外這3位科學家因此共同榮獲了1956年諾貝爾物理學獎。 晶體管促進並帶來了「固態革命」，進而推動了全球范圍內的半導體電子工業。作為主要部件，它及時、普遍地首先在通訊工具方面得到應用，並產生了巨大的經濟效益。由於晶體管徹底改變了電子線路的結構，集成電路以及大規模集成電路應運而生，這樣製造像高速電子計算機之類的高精密裝置就變成了現實。編輯本段工作原理 晶體三極體（以下簡稱三極體）按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結構形式，但使用最多的是硅NPN和鍺PNP兩種三極體，（其中，N表示在高純度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在電壓刺激下產生自由電子導電，而p是加入硼取代硅，產生大量空穴利於導電）。兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的，下面僅介紹NPN硅管的電流放大原理。 對於NPN管，它是由2塊N型半導體中間夾著一塊P型半導體所組成，發射區與基區之間形成的PN結稱為發射結,而集電區與基區形成的PN結稱為集電結,三條引線分別稱為發射極e、基極b和集電極c。 當b點電位高於e點電位零點幾伏時，發射結處於正偏狀態，而C點電位高於b點電位幾伏時，集電結處於反偏狀態，集電極電源Ec要高於基極電源Ebo。 在製造三極體時，有意識地使發射區的多數載流子濃度大於基區的，同時基區做得很薄，而且，要嚴格控制雜質含量，這樣，一旦接通電源後，由於發射結正偏，發射區的多數載流子（電子）極基區的多數載流子（空穴）很容易地越過發射結互相向對方擴散，但因前者的濃度基大於後者，所以通過發射結的電流基本上是電子流，這股電子流稱為發射極電流了。 由於基區很薄,加上集電結的反偏，注入基區的電子大部分越過集電結進入集電區而形成集電集電流Ic，只剩下很少（1-10%）的電子在基區的空穴進行復合，被復合掉的基區空穴由基極電源Eb重新補給，從而形成了基極電流Ibo.根據電流連續性原理得： Ie=Ib+Ic 這就是說，在基極補充一個很小的Ib，就可以在集電極上得到一個較大的Ic，這就是所謂電流放大作用，Ic與Ib是維持一定的比例關系，即： β1=Ic/Ib 式中：β1--稱為直流放大倍數， 集電極電流的變化量△Ic與基極電流的變化量△Ib之比為： β= △Ic/△Ib 式中β--稱為交流電流放大倍數，由於低頻時β1和β的數值相差不大，所以有時為了方便起見，對兩者不作嚴格區分，β值約為幾十至一百多。 三極體是一種電流放大器件，但在實際使用中常常利用三極體的電流放大作用，通過電阻轉變為電壓放大作用。 三極體放大時管子內部的工作原理 1、發射區向基區發射電子 電源Ub經過電阻Rb加在發射結上，發射結正偏，發射區的多數載流子(自由電子）不斷地越過發射結進入基區，形成發射極電流Ie。同時基區多數載流子也向發射區擴散，但由於多數載流子濃度遠低於發射區載流子濃度，可以不考慮這個電流，因此可以認為發射結主要是電子流。 2、基區中電子的擴散與復合 電子進入基區後，先在靠近發射結的附近密集，漸漸形成電子濃度差，在濃度差的作用下，促使電子流在基區中向集電結擴散，被集電結電場拉入集電區形成集電極電流Ic。也有很小一部分電子（因為基區很薄）與基區的空穴復合，擴散的電子流與復合電子流之比例決定了三極體的放大能力。 3、集電區收集電子 由於集電結外加反向電壓很大，這個反向電壓產生的電場力將阻止集電區電子向基區擴散，同時將擴散到集電結附近的電子拉入集電區從而形成集電極主電流Icn。另外集電區的少數載流子（空穴）也會產生漂移運動，流向基區形成反向飽和電流，用Icbo來表示，其數值很小，但對溫度卻異常敏感。編輯本段三極體的分類: a.按材質分: 硅管、鍺管 b.按結構分: NPN 、 PNP。如圖所示 。 c.按功能分: 開關管、功率管、達林頓管、光敏管等. 貼片三極體d. 按功率分：小功率管、中功率管、大功率管 e.按工作頻率分：低頻管、高頻管、超頻管 f.按結構工藝分：合金管、平面管 g.按安裝方式:插件三極體、貼片三極體 插件三極體編輯本段三極體的主要參數a. 特徵頻率fT :當f= fT時,三極體完全失去電流放大功能.如果工作頻率大於fT,電路將不正常工作.b. 工作電壓/電流 用這個參數可以指定該管的電壓電流使用范圍.c. hFE 電流放大倍數.d. VCEO 集電極發射極反向擊穿電壓,表示臨界飽和時的飽和電壓.e. PCM 最大允許耗散功率.f. 封裝形式 指定該管的外觀形狀,如果其它參數都正確，封裝不同將導致組件無法在電路板上實現.編輯本段判斷基極和三極體的類型 三極體的腳位判斷，三極體的腳位有兩種封裝排列形式，如右圖： 三極體是一種結型電阻器件，它的三個引腳都有明顯的電阻數據，測試時（以數字萬用表為例，紅筆+，黒筆-）我們將測試檔位切換至 二極體檔 （蜂鳴檔）標志符號如右圖： 正常的NPN結構三極體的基極（B）對集電極（C）、發射極（E）的正向電阻是430Ω-680Ω（根據型號的不同，放大倍數的差異，這個值有所不同）反向電阻無窮大；正常的PNP 結構的三極體的基極（B）對集電極（C）、發射極（E）的反向電阻是430Ω-680Ω，正向電阻無窮大。集電極C對發射極E在不加偏流的情況下，電阻為無窮大。基極對集電極的測試電阻約等於基極對發射極的測試電阻，通常情況下，基極對集電極的測試電阻要比基極對發射極的測試電阻小5-100Ω左右（大功率管比較明顯），如果超出這個值，這個元件的性能已經變壞，請不要再使用。如果誤使用於電路中可能會導致整個或部分電路的工作點變壞，這個元件也可能不久就會損壞，大功率電路和高頻電路對這種劣質元件反應比較明顯。 盡管封裝結構不同，但與同參數的其它型號的管子功能和性能是一樣的，不同的封裝結構只是應用於電路設計中特定的使用場合的需要。 要注意有些廠家生產一些不規范元件，例如C945正常的腳位是BCE，但有的廠家出的此元件腳位排列卻是EBC，這會造成那些粗心的工作人員將新元件在未檢測的情況下裝入電路，導致電路不能工作，嚴重時燒毀相關聯的元器件，比如電視機上用的開關電源。 在我們常用的萬用表中，測試三極體的腳位排列圖： 先假設三極體的某極為「基極」,將黑表筆接在假設基極上,再將紅表筆依次接到其餘兩個電極上,若兩次測得的電阻都大(約幾K到幾十K),或者都小(幾百至幾K),對換表筆重復上述測量,若測得兩個阻值相反(都很小或都很大),則可確定假設的基極是正確的,否則另假設一極為「基極」,重復上述測試,以確定基極. 當基極確定後,將黑表筆接基極,紅表筆筆接其它兩極若測得電阻值都很少,則該三極體為NPN,反之為PNP. 判斷集電極C和發射極E,以NPN為例: 把黑表筆接至假設的集電極C,紅表筆接到假設的發射極E,並用手捏住B和C極,讀出表頭所示C,E電阻值,然後將紅,黑表筆反接重測.若第一次電阻比第二次小,說明原假設成立. 體三極體的結構和類型 晶體三極體，是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極體是在一塊半導體基片上製作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把正塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種， 從三個區引出相應的電極，分別為基極b發射極e和集電極c。 發射區和基區之間的PN結叫發射結，集電區和基區之間的PN結叫集電極。基區很薄，而發射區較厚，雜質濃度大，PNP型三極體發射區"發射"的是空穴，其移動方向與電流方向一致，故發射極箭頭向里；NPN型三極體發射區"發射"的是自由電子，其移動方向與電流方向相反，故發射極箭頭向外。發射極箭頭向外。發射極箭頭指向也是PN結在正向電壓下的導通方向。硅晶體三極體和鍺晶體三極體都有PNP型和NPN型兩種類型。 三極體的封裝形式和管腳識別 常用三極體的封裝形式有金屬封裝和塑料封裝兩大類，引腳的排列方式具有一定的規律， 底視圖位置放置，使三個引腳構成等腰三角形的頂點上，從左向右依次為e b c；對於中小功率塑料三極體按圖使其平面朝向自己，三個引腳朝下放置，則從左到右依次為e b c。 目前，國內各種類型的晶體三極體有許多種，管腳的排列不盡相同，在使用中不確定管腳排列的三極體，必須進行測量確定各管腳正確的位置，或查找晶體管使用手冊，明確三極體的特性及相應的技術參數和資料。 晶體三極體的電流放大作用 晶體三極體具有電流放大作用，其實質是三極體能以基極電流微小的變化量來控制集電極電流較大的變化量。這是三極體最基本的和最重要的特性。我們將ΔIc/ΔIb的比值稱為晶體三極體的電流放大倍數，用符號「β」表示。電流放大倍數對於某一隻三極體來說是一個定值，但隨著三極體工作時基極電流的變化也會有一定的改變。 晶體三極體的三種工作狀態 截止狀態：當加在三極體發射結的電壓小於PN結的導通電壓，基極電流為零，集電極電流和發射極電流都為零，三極體這時失去了電流放大作用，集電極和發射極之間相當於開關的斷開狀態，我們稱三極體處於截止狀態。 放大狀態：當加在三極體發射結的電壓大於PN結的導通電壓，並處於某一恰當的值時，三極體的發射結正向偏置，集電結反向偏置，這時基極電流對集電極電流起著控製作用，使三極體具有電流放大作用，其電流放大倍數β＝ΔIc/ΔIb，這時三極體處放大狀態。 飽和導通狀態：當加在三極體發射結的電壓大於PN結的導通電壓，並當基極電流增大到一定程度時，集電極電流不再隨著基極電流的增大而增大，而是處於某一定值附近不怎麼變化，這時三極體失去電流放大作用，集電極與發射極之間的電壓很小，集電極和發射極之間相當於開關的導通狀態。三極體的這種狀態我們稱之為飽和導通狀態。 根據三極體工作時各個電極的電位高低，就能判別三極體的工作狀態，因此，電子維修人員在維修過程中，經常要拿多用電表測量三極體各腳的電壓，從而判別三極體的工作情況和工作狀態。 使用多用電表檢測三極體 三極體基極的判別：根據三極體的結構示意圖，我們知道三極體的基極是三極體中兩個PN結的公共極，因此，在判別三極體的基極時，只要找出兩個PN結的公共極，即為三極體的基極。具體方法是將多用電表調至電阻擋的R×1k擋，先用紅表筆放在三極體的一隻腳上，用黑表筆去碰三極體的另兩只腳，如果兩次全通，則紅表筆所放的腳就是三極體的基極。如果一次沒找到，則紅表筆換到三極體的另一個腳，再測兩次；如還沒找到，則紅表筆再換一下，再測兩次。如果還沒找到，則改用黑表筆放在三極體的一個腳上，用紅表筆去測兩次看是否全通，若一次沒成功再換。這樣最多沒量12次，總可以找到基極。 三極體類型的判別： 三極體只有兩種類型，即PNP型和NPN型。判別時只要知道基極是P型材料還N型材料即可。當用多用電表R×1k擋時，黑表筆代表電源正極，如果黑表筆接基極時導通，則說明三極體的基極為P型材料，三極體即為NPN型。如果紅表筆接基極導通，則說明三極體基極為N型材料，三極體即為PNP型。 三極體的基本放大電路 基本放大電路是放大電路中最基本的結構，是構成復雜放大電路的基本單元。它利用雙極型半導體三極體輸入電流控制輸出電流的特性，或場效應半導體三極體輸入電壓控制輸出電流的特性，實現信號的放大。本章基本放大電路的知識是進一步學習電子技術的重要基礎。 基本放大電路一般是指由一個三極體或場效應管組成的放大電路。從電路的角度來看，可以將基本放大電路看成一個雙埠網路。放大的作用體現在如下方面： 1．放大電路主要利用三極體或場效應管的控製作用放大微弱信號，輸出信號在電壓或電流的幅度上得到了放大，輸出信號的能量得到了加強。 2．輸出信號的能量實際上是由直流電源提供的，只是經過三極體的控制，使之轉換成信號能量，提供給負載。 共射組態基本放大電路的組成 共射組態基本放大電路是輸入信號加在加在基極和發射極之間，耦合電容器C1和Ce視為對交流信號短路。輸出信號從集電極對地取出，經耦合電容器C2隔除直流量，僅將交流信號加到負載電阻RL之上。放大電路的共射組態實際上是指放大電路中的三極體是共射組態。 在輸入信號為零時，直流電源通過各偏置電阻為三極體提供直流的基極電流和直流集電極電流，並在三極體的三個極間形成一定的直流電壓。由於耦合電容的隔直流作用，直流電壓無法到達放大電路的輸入端和輸出端。 當輸入交流信號通過耦合電容C1和Ce加在三極體的發射結上時，發射結上的電壓變成交、直流的疊加。放大電路中信號的情況比較復雜，各信號的符號規定如下：由於三極體的電流放大作用，ic要比ib大幾十倍，一般來說，只要電路參數設置合適，輸出電壓可以比輸入電壓高許多倍。uCE中的交流量 有一部分經過耦合電容到達負載電阻，形成輸出電壓。完成電路的放大作用。 由此可見，放大電路中三極體集電極的直流信號不隨輸入信號而改變，而交流信號隨輸入信號發生變化。在放大過程中，集電極交流信號是疊加在直流信號上的，經過耦合電容，從輸出端提取的只是交流信號。因此，在分析放大電路時，可以採用將交、直流信號分開的辦法，可以分成直流通路和交流通路來分析。 放大電路的組成原則： 1．保證放大電路的核心器件三極體工作在放大狀態，即有合適的偏置。也就是說發射結正偏，集電結反偏。 2．輸入迴路的設置應當使輸入信號耦合到三極體的輸入電極，形成變化的基極電流，從而產生三極體的電流控制關系，變成集電極電流的變化。 3．輸出迴路的設置應該保證將三極體放大以後的電流信號轉變成負載需要的電量形式（輸出電壓或輸出電流）。三極體的符號 中間橫線是基極B，另一斜線是集電極C，箭頭的是發射極E。 三極體的符號三極體的命名 ： 國產半導體器型號的命名方法（摘自國家標准GB249_74） 型號組成 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 用阿拉伯數字表示器件電極數 用字母表示器件的材料和極性 用漢語拼音字母表示器件類型 用數字表示器件序號 用漢語拼音字母表示規格 符號及意義 2 二極體 A N型鍺材料 P 普通管 B P型鍺材料 V 微波管 C N型硅材料 W 穩壓管 D P型硅材料 C 參量管 3 三極體 A PNP鍺材料 Z 整流管 B NPN鍺材料 L 整流管 C PNP型硅材料 S 隧道管 D NPN型硅材料 N 阻尼管 E 化合物材料 U 光電器件 K 開關器 X 低頻小功率管 G 高頻小功率管 D 低頻大功率管 A 高頻大功率管 T 半導體閘流管 Y 體效應器件 B 雪崩管 J 階躍恢復管 CS 場效應器 BY 半導體特殊器件 FH 復合管 PIN PIN型管 JG 激光器件 三極體的選型與替換 ： 1.首先要進行參數對比，如果不知道參數可以先在網路收搜索他的規格書，了解其參數。行業里大家用的多的是http://www.alldatasheet.com一個英文網站； 2.知道參數，尤其是BVCBO,BVCEO,BVEBO,HFE,ft,VCEsat參數。通過各個參數的 比較，找相似的產品。即使知道了參數以後也不好找，一些書籍都過時了，沒有收集新的產品進去。最近看到一個創意不錯的網站，半導體百事通網 有個參數選型欄目，可以針對半導體器件的參數對照組合篩選來選型http://www.semibest.com 直插封裝的型號 貼片的型號 極性 Ft VCEO Ic hfe 配對型號 9011 1T NPN 150MHz 18V 100mA 28~132 9012 2T PNP 150MHz 25V 500mA 64~144 9013 9013 J3 NPN 9014 J6 NPN 150MHz 18V 100mA 60~400 9015 9015 M6 PNP 9016 Y6 NPN 500MHz 20V 25mA 28~97 9018 J8 NPN 700MHZ 12V 100mA 28~72 S8050 J3Y NPN 100MHz 25V 1.5A 45~300 S8550 S8550 2TY PNP 8050 Y1 NPN 100MHz 25V 1A 85~300 8550 8550 Y2 PNP 2SA1015 BA PNP 2SC1815 HF NPN 80MHz 50V 150mA 70~700 1015 2SC945 CR NPN 250MHz 50V 100mA 200~600 2SA733 CS MMBT3904 1AM NPN 300MHz 60V 100mA 300@10mA 3906 MMBT3906 2A PNP MMBT2222 1P NPN 250MHz 60V 600mA 100@150mA MMBT5401 2L PNP 100MHz 150V 500mA 40~200 5551 MMBT5551 G1 NPN MMBTA42 1D NPN 50MHz 300V 100mA 40@10mA MMBTA92 2D PNP BC807-16 5A PNP BC807-25 5B PNP 80MHz 45V 500mA 250@100mA BC817-25 BC807-40 5C PNP 80MHz 45V 500mA 250@100mA BC817-40 BC817-16 6A NPN BC817-25 6B NPN BC817-40 6C NPN BC846A 1A NPN 250MHz 65V 100mA 140 BC856 BC846B 1B NPN 250 BC847A 1E NPN 45V BC857 BC847B 1F BC847C 1G NPN 420~800 BC848A 1J NPN 30V BC848B 1K BC848C 1L BC856A 3A PNP BC856B 3B BC857A 3E BC857B 3F BC858A 3J BC858B 3K BC858C 3L 2SC3356 R23 NPN 7GHz 20V 100mA 50~300 2SC3838 AD 帶反向二極體的N溝道FET 2N7002 702 40V 400mA BSS138 50V 200mA 下面是帶電阻的三極體 UN2111 V1 NNP 150MHz 50V 100mA UN2112 V2 UN V3 UN2211 V4 UN2212 V5 UN2213 V6 ************************************************編輯本段測判三極體的口訣 三極體的管型及管腳的判別是電子技術初學者的一項基本功，為了幫助讀者迅速掌握測判方法，筆者總結出四句口訣：「三顛倒，找基極；PN結，定管型；順箭頭，偏轉大；測不準，動嘴巴。」下面讓我們逐句進行解釋吧。1： 三顛倒，找基極 大家知道，三極體是含有兩個PN結的半導體器件。根據兩個PN結連接方式不同，可以分為NPN型和PNP型兩種不同導電類型的三極體。 測試三極體要使用萬用電表的歐姆擋，並選擇R×100或R×1k擋位。圖2繪出了萬用電表歐姆擋的等效電路。紅表筆所連接的是表內電池的負極，黑表筆則連接著表內電池的正極。 假定我們並不知道被測三極體是NPN型還是PNP型，也分不清各管腳是什麼電極。測試的第一步是判斷哪個管腳是基極。這時，我們任取兩個電極(如這兩個電極為1、2)，用萬用電表兩支表筆顛倒測量它的正、反向電阻，觀察表針的偏轉角度；接著，再取1、3兩個電極和2、3兩個電極，分別顛倒測量它們的正、反向電阻，觀察表針的偏轉角度。在這三次顛倒測量中，必然有兩次測量結果相近：即顛倒測量中表針一次偏轉大，一次偏轉小；剩下一次必然是顛倒測量前後指針偏轉角度都很小，這一次未測的那隻管腳就是我們要尋找的基極。2：PN結，定管型 找出三極體的基極後，我們就可以根據基極與另外兩個電極之間PN結的方向來確定管子的導電類型。將萬用表的黑表筆接觸基極，紅表筆接觸另外兩個電極中的任一電極，若表頭指針偏轉角度很大，則說明被測三極體為NPN型管；若表頭指針偏轉角度很小，則被測管即為PNP型。3：順箭頭，偏轉大 找出了基極b，另外兩個電極哪個是集電極c，哪個是發射極e呢?這時我們可以用測穿透電流ICEO的方法確定集電極c和發射極e。 (1) 對於NPN型三極體，穿透電流的測量電路。根據這個原理，用萬用電表的黑、紅表筆顛倒測量兩極間的正、反向電阻Rce和Rec，雖然兩次測量中萬用表指針偏轉角度都很小，但仔細觀察，總會有一次偏轉角度稍大，此時電流的流向一定是：黑表筆→c極→b極→e極→紅表筆，電流流向正好與三極體符號中的箭頭方向一致順箭頭，所以此時黑表筆所接的一定是集電極c，紅表筆所接的一定是發射極e。 (2) 對於PNP型的三極體，道理也類似於NPN型，其電流流向一定是：黑表筆→e極→b極→c極→紅表筆，其電流流向也與三極體符號中的箭頭方向一致，所以此時黑表筆所接的一定是發射極e，紅表筆所接的一定是集電極c。4：測不出，動嘴巴 若在「順箭頭，偏轉大」的測量過程中，若由於顛倒前後的兩次測量指針偏轉均太小難以區分時，就要「動嘴巴」了。具體方法是：在「順箭頭，偏轉大」的兩次測量中，用兩只手分別捏住兩表筆與管腳的結合部，用嘴巴含住(或用舌頭抵住)基電極b，仍用「順箭頭，偏轉大」的判別方法即可區分開集電極c與發射極e。其中人體起到直流偏置電阻的作用，目的是使效果更加明顯。 [2] 三極體的哲學意義： 三極體是人類最偉大的發明，諾貝爾獎也無法呈現出「他」巨大的歷史意義，看似簡單又極其普通的信號放大功能，本質上是連接了「意識」與「行為」，而此正是生命的特徵。可以說三極體的發明標識著人類具備了只有上帝才擁有的創造生命的能力。

F. PLC的基本結構包括哪些單元

PLC：可編程邏輯控制器實質是一種專用於工業控制的計算機，其硬體結構基本上與微型計算機相同，基本構成為：
一、電源：
可編程邏輯控制器的電源在整個系統中起著十分重要的作用。如果沒有一個良好的、可靠的電源系統是無法正常工作的，因此，可編程邏輯控制器的製造商對電源的設計和製造也十分重視。一般交流電壓波動在+10%(+15%)范圍內，可以不採取其它措施而將PLC直接連接到交流電網上去
二、中央處理單元(CPU)：
中央處理單元(CPU)是可編程邏輯控制器的控制中樞。它按照可編程邏輯控制器系統程序賦予的功能接收並存儲從編程器鍵入的用戶程序和數據；檢查電源、存儲器、I/O以及警戒定時器的狀態，並能診斷用戶程序中的語法錯誤。當可編程邏輯控制器投入運行時，首先它以掃描的方式接收現場各輸入裝置的狀態和數據，並分別存入I/O映象區，然後從用戶程序存儲器中逐條讀取用戶程序，經過命令解釋後按指令的規定執行邏輯或算數運算的結果送入I/O映象區或數據寄存器內。等所有的用戶程序執行完畢之後，最後將I/O映象區的各輸出狀態或輸出寄存器內的數據傳送到相應的輸出裝置，如此循環運行，直到停止運行。
為了進一步提高可編程邏輯控制器的可靠性，對大型可編程邏輯控制器還採用雙CPU構成冗餘系統，或採用三CPU的表決式系統。這樣，即使某個CPU出現故障，整個系統仍能正常運行。
三、存儲器：
存放系統軟體的存儲器稱為系統程序存儲器。
存放應用軟體的存儲器稱為用戶程序存儲器。
四、輸入輸出介面電路：
1．現場輸入介面電路由光耦合電路和微機的輸入介面電路，作用是可編程邏輯控制器與現場控制的介面界面的輸入通道。
2．現場輸出介面電路由輸出數據寄存器、選通電路和中斷請求電路集成，作用可編程邏輯控制器通過現場輸出介面電路向現場的執行部件輸出相應的控制信號。
五、功能模塊：
如計數、定位等功能模塊。
六、通信模塊。

G. 解釋一下什麼是電子元器件

電子元器件是電子元件和小型的機器、儀器的組成部分，其本身常由若干零件構成，可以在同類產品中通用；常指電器、無線電、儀表等工業的某些零件，是電容、晶體管、游絲、發條等電子器件的總稱。常見的有二極體等。
電子元器件包括：電阻、電容、電感、電位器、電子管、散熱器、機電元件、連接器、半導體分立器件、電聲器件、激光器件、電子顯示器件、光電器件、感測器、電源、開關、微特電機、電子變壓器、繼電器、印製電路板、集成電路、各類電路、壓電、晶體、石英、陶瓷磁性材料、印刷電路用基材基板、電子功能工藝專用材料、電子膠（帶）製品、電子化學材料及部品等。
電子元器件在質量方面國際上有歐盟的CE認證，美國的UL認證，德國的VDE和TUV以及中國的CQC認證等國內外認證，來保證元器件的合格。
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H. 五大電子元器件是什麼

五大電子元器件是指二極體、三極體、MOS管、電容、電阻。
電子元器件是電子元件和電小型的機器、儀器的組成部分，其本身常由若干零件構成，可以在同類產品中通用;常指電器、無線電、儀表等工業的某些零件，如電容、晶體管、游絲、發條等子器件的總稱。常見的有二極體等。
電子元器件包括:電阻、電容器、電位器、電子管、散熱器、機電元件、連接器、半導體分立器件、電聲器件、激光器件、電子顯示器件、光電器件、感測器、電源、開關、微特電機、電子變壓器、繼電器、印製電路板、集成電路、各類電路、壓電、晶體、石英、陶瓷磁性材料、印刷電路用基材基板、電子功能工藝專用材料、電子膠(帶)製品、電子化學材料及部品等。
電子元器件在質量方面國際上面有中國的CQC認證，美國的UL和CUL認證，德國的VDE和TUV以及歐盟的CE等國內外認證，來保證元器件的合格。

I. 哈爾濱工業大學模擬電路與數字電路的教材目錄

模擬電路的
目錄
緒論
第一章 半導體器件
第一節 半導體基礎知識
第二節 半導體二極體
第三節 半導體三極體
第四節 聲效應晶體管（FET）
本章小結
思考題與習題
第二章 基本單元電路
第一節 放大概念及放大電路的性能指標
第二節 放大電路的組成及工作原理
第三節 放大電路的分析方法
第四節 工作點穩定電路
第五節 放大電路的三種組態及其性能比較
第六節 場效應管基本放大電路
第七節 差動放大電路
第八節 電流電源電路
本章小結
思考題與習題
第三章 多級放大電路與頻率響應
第一節 多級放大電路的一般問題
第二節 直接耦合放大電路
第三節 阻容耦合多組放大電路
第四節 放大電路頻率響應
本章小結
思考題與習題
第四章 集成運算放大器
第一節 集成運放簡介
第二節 通用型集成運算放大器
第三節 集成運放的主要參數
第四節 集成運放使用的一些實際問題
第五節 理想運入及三種基本輸入方式
本章小結
思考題與習題
第五章 功率放大電路
第一節 功率放大電路的特點及分類
第二節 基本OCL電路與交越失真
第三節 無失真的OCL電路
第四節 OCL電路簡介
第五節 互補對稱功放分析計算舉例
第六節 集成功率放大電路
本章小結
思考題與習題
第六章 放大電路中的反饋
第一節 反饋的基本概念
第二節 反饋放大電路的方塊圖及閉環放大倍數的一般表達式
第三節 負反饋放大電路的四種組態
第四節 負反饋對放大電路性能的改善
第五節 正確引入負反饋的原則
第六節 深度負反饋放大電路的計算
第七節 負反饋放大電路的計算
本章小結
思考題與習題
第七章 集成運算放大器的應用
第一節 基本運算電路
第二節 集成模擬乘法器
第三節 有源濾波電路
第四節 開關電容濾波器
第五節 電壓比較器
本章小結
思考題與習題
第八章 信號發生電路
第一節 概述
第二節 RC正弦波振盪電路
第三節 LC正弦波振盪電路
第四節 石英晶體振盪器簡介
第五節 矩形波發生電路
第六節 三角波發生電路
第七節 鋸齒波發生電路
第八節 集成函數發生器8038簡介
本章小結
思考題與習題
第九章 直流穩壓電路
第一節 整流電路
第二節 濾波電路
第三節 穩壓電路
第四節 開關穩壓電源電路（SMR電路）
本章小結
思考題與習題
參考文獻

數電的沒找到

電路基礎
目錄
第—章 電路模型和電路定律
1—1 電路和電路圖
1—2 電流、電壓及其參考方向
1—3 電功率
1—4 電阻元件
1—5 電容元件
1—6 電感元件
1—7 電壓源和電流源
1—8 受控源
1—9 基爾霍夫定律
1—10 電路的拓撲圖基爾霍夫定律的矩陣形式
習題一
第二章 電阻電路的等效變換和化簡
2—1 電路等效的概念
2—2 電阻的串聯和並聯
2—3 電阻的Y—△聯接及其等效互換
2—4 電源的串聯和並聯
2—5 有源電阻電路的等效變換
2—6 簡單電阻電路的分析
習題二
第三章 網路分析方法和網路定理
3—1 支路電流法
3—2 迴路電流法
3—3 節點電壓法
3—4 含受控源電路的分析
3—5 疊加定理
3—6 替代定理
3—7 戴維南定理與諾頓定理
3—8 特勒根定理
3—9 互易定理
3—10 對偶原理
習題三
第四章 正弦電路的基本概念
4—1 正弦量的有關概念
4—2 用相量表示正弦量
4—3 電阻感和電容元件在正弦電路中的特性
4—4 基爾霍夫定律的相量形式
4—5 復阻抗和復導納
習題四
第五章 正弦電路的穩態分析
5—1 串並聯電路的分析
5—2 復雜電路的分析
5—3 正弦電路中的功率
5—4 最大功率傳輸
習題五
第六章 三相電路
6—1 對稱三相電源
6—2 對稱三相電路的計算
6—3 不對稱三相電路的概念
6—4 三相電路的功率及其測量
習題六
第七章 互感電路
7—l 互感系數和耦合系數
7—2 互感電壓及同名端
7—3 互感元件的聯接去耦等效電路
7—4 具有互感的正弦電路的分析
7—5 空芯變壓器
習題七
第八章 諧振電路
8—l 串聯電路的諧振
8—2 串聯電路的諧振曲線和通頻帶
8—3 並聯電路的諧振
8—4 互感耦合電路的諧振
習題九
第九章 周期性非正弦電路
9—l 周期函數分解為傅里葉級數
9—2 周期性非正弦電壓、電流的有效值平均功率
9—3 周期性非正弦電路的計算
9—4 濾波電路的概念
習題九
第十章 —階電路
10—l 電路的初始條件
10—2 零輸入響應
10—3 零狀態響應
10—4 全響應
10—5 三要素法
10—6 階躍響應和沖激響應
10—7 卷積積分
10—8 電容電壓和電感電流的躍變
習題十
第十—章 二階電路
11—1 RLC串聯電路的零輸入響應
ll—2 RLC串聯電路對恆定輸入的響應
習題十—

電路2種,還有就是電路理論基礎
目錄
第一章 電路的基本概念
1.1 實際電路與電路模型
1.2 電路中的物理量
1.3 電路結構
習題一
第二章 電路的基本定律和基本元件
2.1 基爾霍夫電流定律
2.2 基爾霍夫電壓定律
2.3 二端電阻元件
2.4 獨立電源
2.5 二端電容元件
2.6 二端電感元件
2.7 雙口電阻
2.8 互感元件
2.9 受控電源
2.10 理想運算放大器
習題二
第三章 線性直流電路的網路方程分析法
3.1 電路的線圖
3.2 獨立的基爾霍夫定律方程
3.3 電路完備的數學模型及支路法
3.4 獨立而完備的電路變數
3.5 節點法
3.6 割集法
3.7 網孔法和迴路法
3.8 [A]、[B]、[C]矩陣之間的關系
習題三
第四章 電路定理及電路的等效化簡
4.1 疊加定理與齊性定理
4.2 置換定理
4.3 特勒根定理
4.4 互易定理
4.5 等效網路及等效變換
4.6 無獨立源一埠網路的等效化簡
4.7 含源一埠網路的等效化簡及等效電源定理
4.8 無獨立源二埠網路的等效參數
4.9 無獨立源雙口網路的等效電路
4.10 互聯雙口的等效參數
4.11 對偶原理
習題四
第五章 線性正弦電流電路穩態分析的相量法
5.1 正弦量的基本概念
5.2 正弦量與相量的變換
5.3 相量形式的基爾霍夫定律
5.4 相量形式的電路元件約束方程
5.5 復阻抗與復導納
5.6 正弦電流電路穩態分析的相量法
5.7 含互感元件的電路
5.8 正弦電流電路的功率
習題五
第六章 非正弦周期電流電路
6.1 非正弦周期量的諧波分析
6.2 非正弦周期電流電路中的有效值和乎均功率
6.3 非正弦周期電流電路的分析
習題六
第七章 頻率特性和諧振
7.1 頻率特性及濾波
7.2 串聯諧振電路
7.3 並聯諧振電路
習題七
第八章 三相電路
8.1 三相電路的基本概念
8.2 對稱三相電路的電壓、電流、功率
8.3 對稱三相電路的計算
8.4 不對稱三相電路的概念
習題八
第九章 動態電路暫態過程的時域分析
9.1 動態電路的暫態過程及其電路方程
9.2 動態電路暫態過程的初始值
9.3 一階電路的微分方程及其解的普遍形式
9.4 一階電路的零輸入響應
9.5 一階電路的零狀態響應
9.6 一階電路的全響應
……
第十章 動態電路的復頻域分析
第十一章 簡單非線性電阻電路
第十二章 Pspice分析電路
部分習題答案
主要參考書目